[发明专利]集成电路、芯片封装以及用于制造集成电路的方法

说明书

技术领域

各种实施例总体上涉及一种集成电路、一种芯片封装以及一种用于制造集成电路的方法。

背景技术

功率半导体部件可以在半导体晶片中使用已知工艺来形成或制造。在这些工艺的一部分中，可以采用有机聚合物材料、模塑料或层压体来对半导体部件进行封装，其可以被沉积在半导体晶片表面上方或上面，由此覆盖功率半导体部件的表面。采用聚合物材料的封装可能导致高吸湿性，且导致不能被调整以适应半导体部件的热膨胀系数(CTE)。即，在当前使用的封装材料与功率半导体部件之间的CTE不匹配可能导致可靠性问题。即使有机聚合物材料不包含无机填充微粒，其还是会遭受低热导率。

发明内容

各种实施例提供了一种集成电路，其包括：载体，其包括至少一个电子部件和被设置在该载体的第一侧面上的至少一个接触区，其中该至少一个电子部件被电连接至该至少一个接触区；无机材料层，其被晶片结合至该载体的第一侧面，其中该载体具有第一热膨胀系数，且其中该无机材料层具有第二热膨胀系数，其中该第二热膨胀系数相较于第一热膨胀系数具有小于100％的差值；以及至少一个接触孔，其穿过无机材料层形成，其中该至少一个接触孔接触该至少一个接触区。

附图说明

在附图中，贯穿不同的视图，相似的参考标记一般指代相同的部分。附图不必按比例，而是一般地将重点放在示出本发明的原理上。在下列描述中，本发明的各种实施例参考下列附图来描述，其中：

图1示出了根据一个实施例的用于制造集成电路的方法；

图2A至2I示出了根据各种实施例的用于制造集成电路的方法；

图3A和3B、2A示出了根据各种实施例的用于制造集成电路的方法的一部分；以及

图4示出了根据一个实施例的集成电路。

具体实施方式

以下的详细描述引用附图，所述附图借助图示示出了其中可以实施本发明的特定的细节和实施例。

本文使用词“示例性的”来意指“用作实例，例子，或者示例”等。本文描述为“示例性的”的任何实施例或者设计不一定被解释为比其它实施例或者设计优选或者有利。

关于在侧面或者表面的“上面”形成的沉积材料而使用的词“上面”可以在本文被用来表示沉积材料可以“直接”形成在暗指的侧面或者表面“上”，例如与暗指的侧面或者表面直接接触。关于在侧面或者表面的“上面”形成的沉积材料而使用的词“上面”可以在本文被用来表示沉积材料可以“间接”形成在暗指的侧面或者表面“上”，其中在暗指的侧面或者表面和沉积材料之间布置一个或者多个另外的层。

当前，由于当前使用的封装材料的限制导致的CTE不匹配和吸湿性，用于封装芯片的已知方法仍然受到稳定性问题的困扰。除了为半导体部件提供包围结构，封装材料还需要电隔离可以被连接至半导体部件的电互连。

已经熟知封装材料被用作覆盖材料，其可以被结合至半导体晶片之上。覆盖材料可由玻璃或引线框材料制造，且如果需要的话，甚至可以被提供有导电材料。封装材料可以包括无机或有机材料也可以是可能的，其可以用于电钝化和绝缘，并可以提供气密密封。电气布线或重新布线可以一般地形成在半导体晶片的表面上面，在覆盖材料下方的区域中。

各种实施例可以处理与可靠性相关联的问题，例如通过改善在半导体部件与外壳封装材料之间的热膨胀系数(CTE)不匹配。各种实施例可以提供用于半导体部件的封装材料作为外壳材料，其中该封装材料可以是无机材料。该无机材料可以减小或消除吸湿性，并可以降低在封装材料，有源电部件与在其中可以形成有源电部件的半导体晶片之间的CTE不匹配。外壳封装材料可以是晶片载体，例如，硅晶片，其可以为半导体部件的晶片的背面的变薄提供结构支撑。外壳封装可以，除了覆盖或至少部分地包围半导体晶片的有源电部件以外，还提供用于穿过该外壳封装材料形成用于接触该半导体部件的接触孔的装置。

图1示出了根据一个实施例的用于制造集成电路的方法100。该方法100可以包括：

将无机材料层晶片结合至载体的第一侧面，该载体包括至少一个电子部件和被设置在该载体的第一侧面上面的至少一个接触区，其中至少一个电子部件被电连接至该至少一个接触区(在110中)；以及

穿过该无机材料层形成至少一个接触孔，其中该至少一个接触孔接触至少一个接触区(在120中)。

图2A至2I示出了根据一个实施例的用于制造集成电路的方法中的处理阶段的各示意性截面图。