[发明专利]太阳能电池电极的制备方法无效
申请号: | 201310680523.0 | 申请日: | 2013-12-11 |
公开(公告)号: | CN103633191A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 魏青竹;连维飞;苗成祥;任军林;张会明 | 申请(专利权)人: | 中利腾晖光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙) 32239 | 代理人: | 安纪平 |
地址: | 215500 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 电极 制备 方法 | ||
1.太阳能电池电极的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
A.利用硝酸、氢氟酸混合液或氢氧化钠溶液在硅片表面制作绒面;
B.经过盐酸、氢氟酸溶液清洗后,将硅片置入扩散炉中进行扩散工序,温度为800-900℃,通入气体为氮气、氧气、三氯氧磷混合气体,处理时间为30-90分钟,在硅片表面形成30-150Ω/sqr发射结;
C.利用湿法刻蚀去除硅片边结;
D.利用PECVD设备在发射结表面制作氮化硅膜,膜厚控制在70-85nm,折射率控制在2.0-2.15;
E.利用丝网印刷设备制备正、背面电极以及背面电场,利用烧结炉进行电极、电场共烧处理。
其中,正面电极包括主栅线和多条相互平行的次栅线,次栅线垂直于主栅线;同一次栅线在宽度上为渐变结构,次栅线在与主栅线相交处为最大宽度;同一次栅线在厚度上也为渐变结构,次栅线在与主栅线相交处为最大厚度。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池电极的制备方法,其特征在于,所述同一次栅线在宽度上为阶梯渐变结构。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池电极的制备方法,其特征在于,所述同一次栅线在宽度上为斜坡渐变结构。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池电极的制备方法,其特征在于,所述同一次栅线在厚度上为阶梯渐变结构。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池电极的制备方法,其特征在于,所述同一次栅线在厚度上为斜坡渐变结构。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池电极的制备方法,其特征在于,所述次栅线宽度与次栅线距主栅线的距离成反比,为渐变结构。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池电极的制备方法,其特征在于,所述,所述次栅线厚度与次栅线距主栅线的距离成反比,为渐变结构。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池电极的制备方法,其特征在于,所述同一细栅线的宽度在40-80μm之间渐变。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池电极的制备方法,其特征在于,所述同一细栅线的厚度在10-30μm之间渐变。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池电极的制备方法,其特征在于,所述次栅线在与主栅线相交处的宽度与主栅线的宽度相同,次栅线在与主栅线相交处的厚度与主栅线的厚度相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的