[发明专利]光源及光源制造方法有效

专利信息
申请号: 201310680945.8 申请日: 2013-12-13
公开(公告)号: CN103872230B 公开(公告)日: 2018-04-20
发明(设计)人: 安春·田;詹姆斯·永宏·郭;文森特·V.·王;杰伊·A.·斯基德莫尔 申请(专利权)人: 朗美通运营有限责任公司
主分类号: H01L33/60 分类号: H01L33/60;H01L33/64
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 代理人: 宁晓,郑霞
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 光源 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种光源制造方法,包括:

(a)提供热沉和具有用于发射光的边缘的第一半导体芯片;

(b)将所述第一半导体芯片平坦地安装在所述热沉的外周边附近的热沉部分上,所述边缘面向外;

(c)由热塑性材料注射成型反射器;

(d)将所述反射器安装到所述热沉的所述外周边,所述反射器包括反射表面,所述反射表面用于重新导向从所述边缘发射的光,以大体上垂直于所述第一半导体芯片传播,其中步骤(c)在步骤(d)之前或与步骤(d)同时执行;以及

(e)将所述反射器光学地耦合到所述第一半导体芯片的所述边缘。

2.如权利要求1所述的光源制造方法,

其中步骤(b)包括在所述热沉的所述外周边附近的所述热沉部分上平坦地安装多个边缘发射半导体芯片,包括所述第一半导体芯片,所述多个边缘发射半导体芯片的发射边缘面向外;

其中步骤(e)包括将所述反射器光学地耦合到所述发射边缘,用于重新导向从所述发射边缘发射的光,以大体上垂直于所述多个边缘发射半导体芯片传播。

3.如权利要求1所述的光源制造方法,其中步骤(d)包括将在步骤(c)中制成的反射器包覆成型到所述热沉。

4.如权利要求2所述的光源制造方法,其中步骤(e)包括将折射率匹配材料包覆成型在所述多个边缘发射半导体芯片上,用于将所述反射器光学地耦合到所述多个边缘发射半导体芯片的所述发射边缘,并用于所述多个边缘发射半导体芯片的环境保护。

5.如权利要求1所述的光源制造方法,其中在步骤(d)中,模制的反射器具有足够高的折射率,以用于所述发射光的全内反射。

6.如权利要求1所述的光源制造方法,其中所述热沉具有圆的形状,且所述反射器具有环的形状,所述环的形状具有内周边和外周边,所述反射表面在所述内周边和所述外周边之间延伸,其中所述反射器的所述内周边与所述热沉的所述外周边相匹配;

其中在步骤(d)中,所述反射器沿着所述内周边被安装到所述热沉的所述外周边。

7.如权利要求2所述的光源制造方法,其中在步骤(e)中,所述反射器通过将光折射率匹配材料放置在所述多个边缘发射半导体芯片的每个发射边缘和所述反射器之间而被光学地耦合到每个所述多个边缘发射半导体芯片的所述发射边缘。

8.一种光源,包括:

圆的热沉;

第一半导体芯片,其具有用于发射光的边缘,其中所述第一半导体芯片被平坦地设置在接近所述热沉外周边的圆的热沉部分上,所述边缘面向外;以及

反射器,其被附着到所述圆的热沉的所述外周边,并被光学地耦合到所述第一半导体芯片的所述边缘,所述反射器包括反射表面,所述反射表面用于重新导向从所述边缘发射的光,以大体上垂直于所述第一半导体芯片传播,其中

所述反射器具有环的形状,所述环的形状具有内周边和外周边,所述反射表面在所述内周边和所述外周边之间延伸,

所述反射器的所述内周边与所述热沉的所述外周边相匹配;并且

所述反射器沿着所述内周边被附着到所述热沉的所述外周边。

9.如权利要求8所述的光源,包括:

多个边缘发射半导体芯片,包括所述第一半导体芯片,所述多个边缘发射半导体芯片被平坦地设置在所述热沉的所述外周边附近的所述圆的热沉部分上,所述多个边缘发射半导体芯片的发射边缘面向外;

其中所述反射器被光学地耦合到所述多个边缘发射半导体芯片的发射边缘,用于重新导向从所述发射边缘发射的光,以大体上垂直于所述多个边缘发射半导体芯片传播。

10.如权利要求9所述的光源,其中所述多个边缘发射半导体芯片包括至少三个边缘发射半导体芯片。

11.如权利要求9所述的光源,其中所述反射器包括能注射成型的热塑性材料。

12.如权利要求9所述的光源,其中所述反射器包括具有1.45或更高的折射率的材料,用于在所述反射表面处的发射光的全内反射。

13.如权利要求10所述的光源,其中所述多个边缘发射半导体芯片包括多个激光二极管芯片。

14.如权利要求9所述的光源,其中所述反射表面包括选自由圆锥形、椭球形、抛物面形和对数螺旋形表面组成的组中的凹表面。

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