[发明专利]原子层沉积装置无效
申请号: | 201310681160.2 | 申请日: | 2013-12-12 |
公开(公告)号: | CN103866287A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 全蓥卓;崔鹤永 | 申请(专利权)人: | 丽佳达普株式会社 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 原子 沉积 装置 | ||
1.一种原子层沉积装置,包括:
腔室,在内部形成有密闭的反应空间;
第一气体吸排单元,向位于所述腔室内部的基板吸入或排出第一气体;
第二气体吸排单元,向所述基板吸入或排出第二气体;以及
真空排气管,设置于所述第一气体吸排单元和所述第二气体吸排单元之间,用于在所述第一气体吸排单元和所述第二气体吸排单元之间形成真空;
所述基板沿着与所述第一气体吸排单元、所述第二气体吸排单元或所述真空排气管中至少一个的长度方向交叉的方向进行相对运动。
2.根据权利要求1所述的原子层沉积装置,其特征在于,还包括:
第一供气部,连接于所述第一气体吸排单元,以供给第一气体;
第二供气部,连接于所述第二气体吸排单元,以供给第二气体;以及
抽真空部,连接于所述真空排气管,用于在所述腔室内部形成真空;
所述抽真空部还与所述第一气体吸排单元或所述第二气体吸排单元中的至少一个连接。
3.根据权利要求2所述的原子层沉积装置,其特征在于,所述第一气体吸排单元和所述第二气体吸排单元包括:
供气管,在内部形成有供气流道;
排气管,在内部形成有与所述供气流道连通的压力缓和部;以及
吸气管,包围所述排气管外周面的至少一部分,以在内部形成吸气流道。
4.根据权利要求3所述的原子层沉积装置,其特征在于,
所述压力缓和部的内部体积大于所述供气流道的内部体积。
5.根据权利要求3所述的原子层沉积装置,其特征在于,
在所述供气管形成有与所述第一供气部或所述第二供气部连接的至少一个供气接口。
6.根据权利要求5所述的原子层沉积装置,其特征在于,
在所述吸气管形成有与所述抽真空部连接的至少一个排气接口。
7.根据权利要求6所述的原子层沉积装置,其特征在于,
所述排气接口被形成于所述腔室的吸入气体收集部以密闭方式包围,
所述吸入气体收集部与所述抽真空部连接。
8.根据权利要求3所述的原子层沉积装置,其特征在于,所述真空排气管包括:
抽气管,在内部形成有与所述抽真空部连接的抽气流道;
吸气引导部,在内部形成有与所述抽气流道连通的吸气接口。
9.根据权利要求8所述的原子层沉积装置,其特征在于,
所述真空排气管还包括抽气管,所述抽气管在内部具有连通所述抽气流道和所述抽气接口之间的压力缓和部。
10.一种原子层沉积装置,包括:
腔室,在内部形成有密闭的反应空间;
第一排气管,向位于所述腔室内部的基板排出第一气体;
第二排气管,向所述基板排出第二气体;以及
真空排气管,设置于所述第一排气管和所述第二排气管之间,用于在所述第一排气管和所述第二排气管之间形成真空;
所述基板沿着与所述第一排气管、所述第二排气管或所述真空排气管中至少一个的长度方向交叉的方向进行相对运动。
11.根据权利要求10所述的原子层沉积装置,其特征在于,还包括:
第一供气部,连接于所述第一排气管,以供给第一气体;
第二供气部,连接于所述第二排气管,以供给第二气体;以及
抽真空部,连接于所述真空排气管,用于在所述腔室内部形成真空。
12.根据权利要求11所述的原子层沉积装置,其特征在于,所述第一排气管和所述第二排气管包括:
供气管,在内部形成有供气流道;
排气管本体,在内部形成有与所述供气流道连通的压力缓和部;以及
排气部,以与所述供气流道对置的方式形成于所述压力缓和部。
13.根据权利要求12所述的原子层沉积装置,其特征在于,
所述压力缓和部的内部体积大于所述供气流道的内部体积。
14.根据权利要求12所述的原子层沉积装置,其特征在于,
在所述供气管形成有与所述第一供气部或所述第二供气部连接的至少一个供气接口。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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