[发明专利]坩埚及其制作方法、多晶硅锭的铸造方法有效
| 申请号： | 201310681309.7 | 申请日： | 2013-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103628128A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 潘家明 | 申请（专利权）人： | 英利集团有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 坩埚 及其 制作方法 多晶 铸造 方法 | ||
1.一种坩埚，其特征在于，包括：
坩埚本体；
位于所述坩埚本体的底部和侧壁上的氮化硅涂层；
位于所述氮化硅涂层表面上的掺镓氮化硅涂层，所述掺镓氮化硅涂层中含有镓化合物，所述掺镓氮化硅涂层覆盖所述坩埚本体的底部和侧壁，且所述坩埚侧壁上的掺镓氮化硅涂层的高度低于所述坩埚侧壁上的氮化硅涂层的高度。
2.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述镓化合物为氧化镓、砷化镓和磷化镓中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述镓化合物的质量与所述坩埚内需要填装的硅料的质量的比例范围为1：50000～1:10000。
4.根据权利要求3所述的坩埚，其特征在于，所述镓化合物的质量与所述掺镓氮化硅涂层中氮化硅的质量的比例范围为1:25～12:0。
5.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述掺镓氮化硅涂层的厚度范围为：0.05mm～1mm。
6.根据权利要求1所述的坩埚，其特征在于，所述坩埚侧壁上的掺镓氮化硅涂层的高度小于或等于所述坩埚侧壁上的氮化硅涂层的高度的二分之一。
7.一种坩埚的制作方法，其特征在于，包括：
提供坩埚本体；
在所述坩埚本体的底部和侧壁上形成氮化硅涂层；
在所述氮化硅涂层的表面涂覆掺镓氮化硅溶液，形成掺镓氮化硅涂层，所述掺镓氮化硅溶液由镓化合物、氮化硅和水混合形成，所述掺镓氮化硅涂层覆盖所述坩埚本体的底部和侧壁，且所述坩埚侧壁上的掺镓氮化硅涂层的高度低于所述坩埚侧壁上的氮化硅涂层的高度。
8.根据权利要求7所述的坩埚的制作方法，其特征在于，所述掺镓氮化硅溶液中镓化合物和氮化硅的质量之和与水的质量的比例范围为1:150～53:200。
9.一种多晶硅锭的铸造方法，其特征在于，包括：
向权利要求1～6任一项所述的坩埚内填装硅料，同时向所述坩埚内放入一定量的硼；
加热所述坩埚，使所述坩埚内的硅料完全熔化；
对所述坩埚进行退火，使熔化的硅料凝固长晶，形成所述多晶硅锭。
10.根据权利要求9所述的多晶硅锭的铸造方法，其特征在于，所述多晶硅锭的电阻率为2.0Ω·cm。
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