[发明专利]一种有机发光显示装置及其制备方法

权利要求书

1.一种有机发光显示装置，包括基板，设置在基板显示区域的薄膜晶体管、电容器和有机发光二极管，设置在基板非显示区域的电极电源线；有机发光二极管包括依次堆叠的第一电极、有机发光层和第二电极，第一电极与薄膜晶体管中的源极或漏极接触电连接，第二电极与电极电源线接触电连接；其特征在于，所述电极电源线上直接形成有辅助导电层，并露出所述电极电源线的部分区域；所述第二电极延伸至所述非显示区域，并连续覆盖所述辅助导电层远离所述电极电源线的表面和所述电极电源线露出的表面。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述电极电源线与所述薄膜晶体管的栅极或源/漏电极层同层以同种材料形成。

3.根据权利要求1或2所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述辅助导电层与所述第一电极同层以同种材料形成。

4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述电极电源线与所述薄膜晶体管的源/漏电极层同层以同种材料形成。

5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其特征在于，在垂直方向上，所述薄膜晶体管中半导体层、栅极层以及源/漏电极层自下而上依次设置；所述半导体层、栅极层之间还设置有使之彼此绝缘的第一绝缘层；所述栅极层和所述源/漏电极层之间还设置有使之彼此绝缘的第二绝缘层。

6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第二绝缘层上直接设置有覆盖所述源/漏电极层的平坦化层，所述平坦化层延伸至所述非显示区域并覆盖所述电极电源线的边缘，所述第一电极直接设置在所述平坦化层上；所述第一电极通过设置在所述平坦化层上的第一通孔与所述源极或所述漏极接触电连接；所述辅助导电层通过设置在所述平坦化层上的第二通孔与所述电极电源线接触连接，所述辅助导电层延伸覆盖在所述第二通孔的侧壁上。

7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述平坦化层上直接设置有覆盖所述第一电极的像素限定层，所述有机发光层通过设置在所述像素限定层中的第三通孔形成在所述第一电极上。

8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述第二电极直接设置在所述像素限定层上，并覆盖形成在所述第一电极上的有机发光层；所述第二电极还延伸至所述非显示区域，并连续覆盖设置在所述辅助导电层和所述电极电源线。

9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述基板上还直接形成有缓冲层，所述半导体层形成在所述缓冲层上。

10.一种权利要求1-9任一所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、在基板的显示区域的垂直方向上依次形成薄膜晶体管中的半导体层、第一绝缘层、栅极层和第二绝缘层，第一绝缘层和第二绝缘层延伸至非显示区域；

S2、在第二绝缘层上直接形成覆盖显示区域和非显示区域的第一金属层，并图案化形成源极、漏极和电极电源线；

S3、在第二绝缘层上直接形成覆盖源极、漏极和电极电源线的平坦化层并图案化，在电极电源线的垂直上方形成贯通平坦化层的第二通孔以暴露电极电源线的部分或全部上表面；

S4、在平坦化层上直接形成覆盖显示区域和非显示区域的第二金属层并图案化，在显示区域形成第一电极、在非显示区域形成辅助导电层，第一电极延伸覆盖在第一通孔的侧壁上且与源极或漏极接触电连接，辅助导电层延伸覆盖在第二通孔的侧壁上且与电极电源线接触电连接；

S5、对直接设置在电极电源线上的辅助导电层进行部分刻蚀，以暴露电极电源线；

S6、在第二金属层上形成覆盖第一电极和辅助导电层的像素限定层并图案化，形成暴露第一电极的第三通孔以及暴露辅助导电层和电极电源线的第四通孔；

S7、在显示区域的像素限定层上直接形成覆盖第一电极的有机发光层；

S8、在像素限定层上直接形成覆盖有机发光层和辅助导电层和电极电源线的第二电极。

11.根据权利要求10所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，步骤S1中还包括在所述基板上直接形成缓冲层的步骤。