[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S101：提供形成有PMOS的栅极和栅极硬掩膜的半导体衬底，在所述栅极的两侧形成偏移侧壁；

步骤S102：对所述PMOS进行轻掺杂处理，其中，经过所述轻掺杂处理，所述半导体衬底上形成有覆盖所述PMOS的有源区以及所述偏移侧壁的氧化物层；

步骤S103：去除所述氧化物层；

步骤S104：形成覆盖所述半导体衬底的锗硅遮蔽层，并在所述锗硅遮蔽层除覆盖所述PMOS的部分以外的其他部分之上形成光刻胶；

步骤S105：进行干法刻蚀以在所述半导体衬底位于所述PMOS两侧的部分之中形成碗状沟槽；

步骤S106：剥离所述光刻胶，对所述碗状沟槽进行湿法刻蚀以形成Σ形沟槽；

步骤S107：在所述Σ形沟槽内形成嵌入式锗硅层。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，去除所述氧化物层所采用的方法为湿法刻蚀，所采用的刻蚀液为氢氟酸。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在半导体器件的制造过程中，所述步骤S103的排队时间为1-6小时。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件为采用高k金属栅极技术的器件，在所述步骤S101中所述栅极为伪栅极；在所述步骤S102中，所述氧化物层位于所述PMOS的有源区的部分的厚度为并且，在所述步骤S107中形成所述嵌入式锗硅层时，所述伪栅极仍未被去除。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件为采用氧化硅介电层多晶硅栅极技术的器件，在所述步骤S101中所述栅极为真正的多晶硅栅极；在所述步骤S102中，所述氧化物层位于所述PMOS的有源区的部分的厚度为

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104中，所述锗硅遮蔽层的厚度为70-210nm。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102中，所述轻掺杂处理采用包括臭氧的剥离媒介进行光刻胶的剥离。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S106与所述步骤S107之间，还包括对所述Σ形沟槽进行预清洗的步骤。

9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述步骤S101中，所提供的半导体衬底上还形成有NMOS的伪栅极和伪栅极硬掩膜，在所述NMOS的伪栅极硬掩膜的两侧也形成偏移侧壁；

在所述步骤S102中，还包括对所述NMOS进行轻掺杂处理的步骤，形成的所述氧化物层同时还覆盖所述NMOS的有源区以及所述NMOS的偏移侧壁。

10.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S107之后，还包括如下步骤：

去除所述锗硅遮蔽层；

形成所述NMOS的主侧壁以及所述PMOS的主侧壁；

形成所述NMOS的源极和漏极以及所述PMOS的源极和漏极；

形成位于所述NMOS的源极和漏极以及所述PMOS的源极和漏极之上的金属硅化物。