[发明专利]一种台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构及其制备工艺

权利要求书

1.一种台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构，包括P 型硼结区和N 型磷结区，所述N 型磷结区上下两端均设有P 型硼结区，其特征在于：在台面大功率半导体器件台面PN结表面从内到外依次包括α-多晶硅层、半绝缘多晶硅薄膜、低温热氧化层、高温Si₃N₄薄膜、负电荷性玻璃钝化层和低温热氧化层。

2.一种如权利要求1所述的台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构的制备工艺，其特征在于：依次包括以下工艺步骤：

a、淀积α-多晶硅，采用LPCVD淀积，温度为570~580℃，压强0.3~0.4t，SiH₄流量40cc/min，淀积时间4~5min；

b、淀积半绝缘多晶硅，采用LPCVD淀积，温度为650~670℃，压强0.3t，SiH₄流量250cc/min，N₂O流量40cc/min，淀积时间40~50min；

c、淀积低温热氧化层，采用LPCVD淀积，温度为420~450℃，压强0.3t，SiH₄流量150cc/min， O₂流量40cc/min，淀积时间20~30min；

d、淀积Si₃N₄，采用LPCVD淀积，温度为750~800℃，压强0.3~0.5t，SiH₂Cl₂流量150cc/min， NH₃流量400cc/min，淀积时间20~30min；

e、玻璃钝化，采用刮涂的方法涂铅铝硅酸盐玻璃，先刮正面再刮背面，玻璃烧出条件为：温度450~500℃，时间10min，O₂流量为1000~1500mL/min、 N₂流量为4000mL/min，烧结条件为：温度750~780℃，时间20min，O₂流量为1000~1500mL/min、 N₂流量为4000mL/min，进行两次刮涂、烧出、烧结玻璃粉；

f、最外层的低温热氧化层淀积，采用LPCVD淀积，温度为420~450℃，压强0.3t，SiH₄流量150cc/min，O₂流量40cc/min，淀积时间30~50min。