[发明专利]用于微细电解加工的线电极阵列结构制备方法

权利要求书

1.一种用于微细电解加工的线电极阵列结构制备方法，其特点在于，具体包括以下步骤：

步骤1、金属基板的预处理；

步骤2、制作图形化掩蔽膜；

步骤3、掩膜电解深刻蚀

以表面图形化的金属基板（1）为阳极进行电解加工，得到掩膜电解深刻蚀加工制作线电极模板中的工具阴极（5），根据光刻胶图形宽度及电解电流密度确定电解刻蚀时间，直到得到顶部尖的金属栅线阵列图形；

步骤4、去除背面材料，去除与已制作的金属栅线对应的背部材料，得到与边框一体的线电极阵列（6），即成。

2.根据权利要求1所述的用于微细电解加工的线电极阵列结构制备方法，其特点在于，所述的步骤1中，金属基板（1）采用铜材料，对金属基板（1）进行抛光处理，使表面粗糙度Ra≤0.3，然后依次使用丙酮、酒精和去离子水清洗，再用氮气吹干后烘干。

3.根据权利要求1所述的用于微细电解加工的线电极阵列结构制备方法，其特点在于，所述的步骤2中，具体流程包括：

前烘，将清洗干净的金属基板（1）在110℃-120℃下烘烤10-15min；

涂胶，采用旋涂法在金属基板（1）表面涂覆一层2-5μm厚的光刻胶（2）；

中烘，温度100℃-110℃，时间10-15min；

曝光，在光刻胶（2）外表面覆盖一层掩膜版（3），并进行曝光，曝光时间8-10s；

显影，显影液选用质量浓度为4‰-6‰的NaOH溶液，显影时间为55-65s，得到光刻胶线条图形，即得到曝光显影后金属基板（1）表面的图形化光刻胶（4）。

4.根据权利要求1所述的用于微细电解加工的线电极阵列结构制备方法，其特点在于，所述的步骤3中，工艺参数为：电解液选用质量浓度为5％-10％NaNO3和5％-10%的NaCl混合液，电流密度为5-20A/dm²，电压为2-5V，间距为20-30mm，电解刻蚀在超声环境中进行。

5.根据权利要求1所述的用于微细电解加工的线电极阵列结构制备方法，其特点在于，所述的步骤4中，去除方法优选掩膜电解、柱电极电解、激光加工方法。