[发明专利]半导体气体传感器无效
申请号: | 201310681936.0 | 申请日: | 2013-12-13 |
公开(公告)号: | CN103698360A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 张克栋;徐红艳;崔铮 | 申请(专利权)人: | 苏州纳格光电科技有限公司 |
主分类号: | G01N27/00 | 分类号: | G01N27/00 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 杨林洁 |
地址: | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 气体 传感器 | ||
1.一种半导体气体传感器,其特征在于,包括:
基底,所述基底具有表面;
设置在所述表面的信号感测电极,所述信号感测电极包括两个导电电极、以及电性连接所述两个导电电极的功能层;
设置在所述表面的加热电极,所述加热电极与所述信号感测电极彼此绝缘,所述加热电极环绕所述信号感测电极设置。
2.根据权利要求1所述的半导体气体传感器,其特征在于,所述加热电极包括主加热部以及与所述主加热部连接的次加热部,所述主加热部包括对称设置的第一主加热段和第二主加热段,所述信号感测电极位于所述第一主加热段和所述第二主加热段之间。
3.根据权利要求2所述的半导体气体传感器,其特征在于,所述第一主加热段和第二主加热段产生的热场温差小于100℃。
4.根据权利要求3所述的半导体气体传感器,其特征在于,所述第一主加热段和第二主加热段产生的热场温差小于50℃。
5.根据权利要求2所述的半导体气体传感器,其特征在于,所述第一主加热段与其相邻的导电电极之间的距离等于所述第二主加热段与其相邻的导电电极之间的距离。
6.根据权利要求2所述的半导体气体传感器,其特征在于,所述主加热部相对所述次加热部邻近所述信号感测电极,所述主加热部环绕所述信号感测电极设置。
7.根据权利要求2所述的半导体气体传感器,其特征在于,所述次加热部包括分别与所述第一主加热段和第二主加热段连接的第一次加热段和第二次加热段,所述第一次加热段和第二次加热段彼此对称设置。
8.根据权利要求1所述的半导体气体传感器,其特征在于,所述加热电极具有定宽。
9.根据权利要求1所述的半导体气体传感器,其特征在于,所述加热电极呈方波、或锯齿波、或三角波、或正弦波、或蛇形。
10.根据如上任意一项所述的半导体气体传感器,其特征在于,所述加热电极和信号感测电极通过印刷的方式制作于所述基底上。
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