[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

随着TFT（Thin Film Transistor，薄膜晶体管）产业的进步及工艺的改善，AD-ADS（ADvanced Super Dimension Switch，高级超维场转换，简称ADS）广视角技术已被应用到越来越多的产品当中，包括手机、数码相机、平板电脑、笔记本电脑、及液晶电视等，其优良的显示特性已被越来越多的用户所推崇，市场竞争力很强。

ADS技术是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示器）产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。

由于ADS自身的特点，其制作工艺较传统的TN（扭曲向列）产品复杂，构图及节拍时间（Tact Time）均有所增加，因此成本较高；另外，现有ADS阵列基板的有源层设置在数据线、源电极和漏电极之下，在对源漏金属层进行刻蚀时，为了避免对源漏金属层下的有源层造成损害，还需要在有源层上设置刻蚀阻挡层，进一步增加了阵列基板的复杂性，因此现有ADS产品的阵列基板往往需要6次或7次构图工艺制作，构图工艺复杂，制作成本较高。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够减少制备阵列基板时构图工艺的次数，提高生产效率，降低制作成本。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，提供一种阵列基板的制作方法，所述制作方法包括：

提供一衬底基板；

通过一次构图工艺在所述衬底基板上形成栅电极和栅线的图形；

通过一次构图工艺在形成有所述栅电极和栅线的衬底基板上形成像素电极、数据线、源电极、漏电极和公共电极线的图形；

通过一次构图工艺在形成有所述像素电极、数据线、源电极、漏电极和公共电极线的衬底基板上形成有源层的图形；

通过一次构图工艺在形成有所述有源层的衬底基板上形成包括有过孔的钝化层的图形；

通过一次构图工艺在形成有所述钝化层的衬底基板上形成公共电极的图形，所述公共电极通过所述过孔与所述公共电极线连接。

进一步地，所述通过一次构图工艺在形成有所述栅电极和栅线的衬底基板上形成像素电极、数据线、源电极、漏电极和公共电极线的图形包括：

在基板上依次沉积第一透明导电层和源漏金属层；

通过一次构图工艺利用所述第一透明导电层形成所述像素电极的图形，利用所述源漏金属层形成所述源电极和漏电极的图形。

进一步地，所述通过一次构图工艺利用所述第一透明导电层形成所述像素电极的图形，利用所述源漏金属层形成所述源电极和漏电极的图形包括：

在所述源漏金属层上涂覆光刻胶，采用灰色调掩膜板对光刻胶进行曝光，形成光刻胶未保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域；

曝光显影之后完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的所述源漏金属层和所述第一透明导电层，形成所述像素电极的图形；

去除光刻胶部分保留区域的光刻胶，完全刻蚀掉光刻胶部分保留区域的所述源漏金属层，形成所述源电极和漏电极的图形；

去除光刻胶完全保留区域的光刻胶。

本发明实施例还提供了一种以上述制作方法制作的阵列基板，所述阵列基板的像素电极位于源电极和漏电极之下，且所述阵列基板的栅电极和源电极、漏电极位于有源层的同一侧。

进一步地，所述阵列基板的有源层为透明金属氧化物半导体。

进一步地，所述透明金属氧化物半导体为非晶IGZO、HIZO、IZO、InZnO、ZnO、TiO₂、SnO、CdSnO中的一种或多种。

进一步地，所述阵列基板具体包括：

衬底基板；

所述衬底基板上的栅电极和栅线；

所述栅电极和所述栅线上的栅绝缘层；

所述栅绝缘层上的像素电极；

所述像素电极上的数据线、源电极、漏电极和公共电极线；

所述数据线、源电极、漏电极和公共电极线上的有源层；