[发明专利]离子注入装置以及离子注入装置的清洗方法

权利要求书

1.一种离子注入装置，其将氟化物气体用作离子源的源气体，其中，该离子注入装置具备：

真空容器，导入源气体；

导入路径，与所述真空容器连接，并向所述真空容器导入清洗气体，所述清洗气体含有与堆积在该真空容器内部的氟化物进行反应而生成反应生成物气体的成分；

送入装置，与导入路径连接，并向所述导入路径强制性地送入所述清洗气体；

第1调整装置，插装于导入路径，并调整所述导入路径的气体流量；

排气路径，与所述真空容器连接，所述反应生成物气体与所述清洗气体一同从真空容器被强制性地排出；

第2调整装置，插装于排气路径，并调整所述排气路径的气体流量；及

控制装置，伴随所述送入装置的工作，控制由所述第1调整装置及所述第2调整装置进行的气体流量的调整，并且控制真空容器的压力，

所述清洗气体为含有水分的大气。

2.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，

在所述送入装置工作的状态下，所述控制装置控制所述第1调整装置而向所述真空容器导入所述清洗气体，并且控制所述第2调整装置而从所述真空容器排出所述反应生成物气体以及所述清洗气体。

3.根据权利要求2所述的离子注入装置，其特征在于，

在所述送入装置工作的状态下，所述控制装置通过检测所述真空容器的压力而控制所述真空容器的压力。

4.根据权利要求2所述的离子注入装置，其特征在于，

将由所述第1调整装置调整的清洗气体的流量和由所述第2调整装置调整的排出气体的流量设为至少使清洗气体的流量大于排出气体的流量的状态下，通过检测由所述真空容器内的清洗气体和反应生成物气体产生的所述真空容器的压力来控制所述真空容器的压力。

5.根据权利要求2所述的离子注入装置，其特征在于，

将所述真空容器的压力保持为恒定。

6.根据权利要求5所述的离子注入装置，其特征在于，

所述真空容器的保持为恒定的压力在小于1.0atm的范围内。

7.根据权利要求2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述送入装置至少以1.0atm至5atm送入清洗气体。

8.根据权利要求2所述的离子注入装置，其特征在于，

在所述送入装置工作的状态下，所述控制装置控制所述第1调整装置以及所述第2调整装置的至少一方，以将所述真空容器的内部压力控制在0.1atm以上～小于1.0atm的范围内。

9.根据权利要求2所述的离子注入装置，其特征在于，

在所述送入装置工作的状态下，所述控制装置控制所述第1调整装置以及所述第2调整装置的至少一方，以将所述真空容器的内部压力控制在0.1atm以上～1.5atm以下的范围内。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

所述真空容器在所述导入路径的连接部设有开口部，并且具备使从该开口部导入的清洗气体向真空容器的壁面扩散的扩散部件。

11.根据权利要求1至9中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

所述排气路径上设有强制性地排出所述反应生成物气体的排气装置。

12.根据权利要求11所述的离子注入装置，其特征在于，

所述排气装置具有耐腐蚀性干式真空泵。

13.根据权利要求1至9中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

将所述导入路径的传导率设为C1，将所述排气路径的传导率设为C2时，满足C1＜C2。

14.根据权利要求1至9中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

将所述导入路径的截面积设为S1，将所述排气路径的截面积设为S2时，满足S1＜S2。

15.根据权利要求1至9中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

所述真空容器由离子源的电弧室、及内部配置有电弧室的离子源室以及离子束线形成，在该电弧室中设置所述导入路径，并且在该离子源室或离子束线上设置所述排气路径。