[发明专利]一种银纳米线基多层结构的复合透明导电薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201310684573.6 申请日: 2013-12-13
公开(公告)号: CN103730194A 公开(公告)日: 2014-04-16
发明(设计)人: 沈文锋;徐青松;黄琦金;杨晔;宋伟杰 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B13/00
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 刘诚午
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 基多 结构 复合 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种银纳米线基多层结构的复合透明导电薄膜,其特征在于,从下至上依次包括:柔性衬底,下AZO导电层、银纳米线导电层和上AZO导电层。

2.如权利要求1所述的银纳米线基多层结构的复合透明导电薄膜,其特征在于,所述银纳米线导电层的粒径为30-120nm。

3.如权利要求1所述的银纳米线基多层结构的复合透明导电薄膜,其特征在于,所述银纳米线导电层中银纳米线的长度为5~60μm。

4.如权利要求1所述的银纳米线基多层结构的复合透明导电薄膜,其特征在于,所述银纳米线导电层的厚度为100~300nm。

5.如权利要求1所述的银纳米线基多层结构的复合透明导电薄膜,其特征在于,所述上AZO导电层和下AZO导电层中氧化铝的质量百分比为1%~3%。

6.如权利要求1~5中任一权利要求所述的银纳米线基多层结构的复合透明导电薄膜,其特征在于,所述上AZO导电层厚度为50~200nm。

7.如权利要求1~5中任一权利要求所述的银纳米线基多层结构的复合透明导电薄膜,其特征在于,所述下AZO导电层厚度为30~300nm。

8.一种银纳米线基多层结构的复合透明导电薄膜的制备方法的其特征在于,包括以下步骤:

(1)采用磁控溅射法溅射AZO靶材,在柔性衬底上制备下AZO导电层;

(2)制备银纳米线悬浊液,并将该银纳米线悬浊液涂布至到下AZO导电层上,形成银纳米线导电层;

(3)重复步骤(1)制备上AZO导电层,

所述步骤(2)中采用多元醇法制备银纳米线悬浊液,包括如下步骤:

(2-1)将聚乙烯吡咯烷酮溶解在多元醇溶液中,并进行冷凝回流,使溶解有聚乙烯吡咯烷酮的多元醇溶液的温度稳定,其中聚乙烯吡咯烷酮的浓度为0.15~0.6mol/L;

(2-2)依次向经过步骤(2-1)处理的多元醇溶液中加入金属盐、HNO3和硝酸银,并在160~180℃下反应15~40min,其中,聚乙烯吡咯烷酮:金属盐:硝酸:硝酸银的摩尔比为1.5~6:1.5×10-3~3×10-3:0.01~0.5:1,所述金属盐为Na2S,NaCl,KCl,CaCl2中的至少一种;

(2-3)待步骤(2-2)反应后的溶液冷却到室温后,进行离心清洗得到银纳米线沉淀物,并将银纳米线沉淀物溶解在水、乙醇或异丙醇中,得到银纳米线悬浊液。

9.如权利要求8所述的银纳米线基多层结构的复合透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中的银纳米线悬浊液的浓度为1~5mg/ml。

10.如权利要求9所述的银纳米线基多层结构的复合透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)还包括对所述的银纳米线导电层进行热处理。

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