[发明专利]确定电路老化性能的方法和装置

权利要求书

1.一种确定电路老化性能的方法，其特征在于，包括：

确定电路中每个鳍式场效晶体管的自发热温度；

根据所述每个鳍式场效晶体管的自发热温度，确定所述每个鳍式场效晶体管的仿真温度；

根据所述每个鳍式场效晶体管的仿真温度，确定所述电路的电路老化性能。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定电路中每个鳍式场效晶体管的自发热温度，包括：

根据下列信息中的至少一种信息，确定所述每个鳍式场效晶体管的自发热温度：所述每个鳍式场效晶体管所包括的鳍片的数量、所述每个鳍式场效晶体管所包括的栅的数量、所述每个鳍式场效晶体管的有源区面积、所述每个鳍式场效晶体管的功耗、所述每个鳍式场效晶体管的功耗密度、所述每个鳍式场效晶体管的源漏电流和所述每个鳍式场效晶体管的源漏电压。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述确定所述每个鳍式场效晶体管的自发热温度，包括：

根据式(1)确定所述每个鳍式场效晶体管的功耗：

P_{_i}＝I_{ds_i}·V_{ds_i}      (1)

其中，P_{_i}为第i个鳍式场效晶体管的功耗，I_{ds_i}和V_{ds_i}分别为第i个鳍式场效晶体管的源漏电流和源漏电压，i为1,2,…,N，N为所述电路中包括的鳍式场效晶体管的数量；

根据式(2)确定所述每个鳍式场效晶体管的自发热温度：

ΔT_{_i}＝A·f(N1_{_i},N2_{_i},P_{_i})+B    (2)

其中，ΔT_{_i}为第i个鳍式场效晶体管的自发热温度，N1_{_i}为第i个鳍式场效晶体管所包括的鳍片的数量，N2_{_i}为第i个鳍式场效晶体管所包括的栅的数量，P_{_i}为第i个鳍式场效晶体管的功耗、f()为所述第i个鳍式场效晶体管所包括的鳍片的数量N1_{_i}、所述第i个鳍式场效晶体管所包括的栅的数量N2_{_i}和所述第i个鳍式场效晶体管的功耗P_{_i}的函数，A和B为常数。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述确定所述每个鳍式场效晶体管的自发热温度，包括：

根据式(3)确定所述每个鳍式场效晶体管的功耗密度：

ρ_{p_i}＝I_{ds_i}·V_{ds_i}/Area_i     (3)

其中，ρ_{p_i}为第i个鳍式场效晶体管的功耗密度，I_{ds_i}和V_{ds_i}分别为第i个鳍式场效晶体管的源漏电流和源漏电压，Area_i为第i个鳍式场效晶体管的有源区面积，i为1,2,…,N，N为所述电路中包括的鳍式场效晶体管的数量；

根据所述每个鳍式场效晶体管的功耗密度，确定所述每个鳍式场效晶体管的自发热温度。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述根据所述每个鳍式场效晶体管的自发热温度，确定所述每个鳍式场效晶体管的仿真温度，包括：

将所述每个鳍式场效晶体管的自发热温度与所述电路的环境温度之和分别确定为所述每个鳍式场效晶体管的仿真温度。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述根据所述每个鳍式场效晶体管的仿真温度，确定所述电路的电路老化性能，包括：

根据所述每个鳍式场效晶体管的仿真温度，确定所述每个鳍式场效晶体管的饱和电流退化值；

根据所述每个鳍式场效晶体管的饱和电流退化值，确定所述电路的电路老化性能。

7.一种确定电路老化性能的装置，其特征在于，包括：

第一确定模块，用于确定电路中每个鳍式场效晶体管的自发热温度；

第二确定模块，用于根据所述第一确定模块确定的所述每个鳍式场效晶体管的自发热温度，确定所述每个鳍式场效晶体管的仿真温度；

第三确定模块，用于根据所述第二确定模块确定的所述每个鳍式场效晶体管的仿真温度，确定所述电路的电路老化性能。