[发明专利]用于离子注入装置的高电压电极的绝缘结构

权利要求书

1.一种高电压电极的绝缘结构，其用于离子注入装置，该高电压电极的绝缘结构的特征在于，具备：

作为电极的两个导体部；及

介于所述两个导体部之间的绝缘体，

所述两个导体部分别与所述绝缘体连接，

所述绝缘体具备向真空空间露出的露出表面，

所述两个导体部分别具备导体主体，该导体主体具备与所述绝缘体相接的接合区域、向所述真空空间露出的露出区域、及位于所述接合区域与所述露出区域之间的边界区，

所述两个导体部中的至少一个导体部具备配置于所述导体主体的至少一个导体要件，

所述导体要件设于所述边界区的至少一部分上，以便与所述绝缘体的所述露出表面相邻，并由熔点高于所述导体部的导电材料形成。

2.根据权利要求1所述的高电压电极的绝缘结构，其特征在于，

所述导体要件以与所述绝缘体的所述露出表面之间留有间隙的方式配设。

3.根据权利要求1或2所述的高电压电极的绝缘结构，其特征在于，

所述绝缘体具备与所述边界区对置的对置部分，在所述对置部分及所述边界区中的至少一个上形成有凹部，所述导体要件的至少一部分容纳于所述凹部。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的高电压电极的绝缘结构，其特征在于，

所述导体要件与所述绝缘体的基部相邻，所述绝缘体的基部与所述接合区域相接。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的高电压电极的绝缘结构，其特征在于，

所述高电压电极的绝缘结构还具备保持所述导体要件的保持部件，所述保持部件由不同于所述导体要件的材料形成。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的高电压电极的绝缘结构，其特征在于，

所述导体要件在所述绝缘体的所述露出表面与所述接合区域之间具有0.5mm以上的沿面距离。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的高电压电极的绝缘结构，其特征在于，

所述导体要件在所述绝缘体的所述露出表面与所述露出区域之间具有0.5mm以上的沿面距离。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的高电压电极的绝缘结构，其特征在于，

所述导体要件在所述绝缘体的所述露出表面与所述导体主体之间具有30μm以上的厚度。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的高电压电极的绝缘结构，其特征在于，

所述接合区域与所述绝缘体之间设有真空密封部件。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的高电压电极的绝缘结构，其特征在于，

所述绝缘体的所述露出表面为包围所述真空空间的所述绝缘体的内壁面，所述导体要件沿所述内壁面的整周形成。

11.根据权利要求1～9中任一项所述的高电压电极的绝缘结构，其特征在于，

所述绝缘体的所述露出表面为包围所述真空空间的所述绝缘体的内壁面，所述导体要件沿所述内壁面的一部分形成。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的高电压电极的绝缘结构，其特征在于，

对所述两个导体部中的一个导体部施加第1直流电压，对所述两个导体部中的另一个导体部施加不同于所述第1直流电压的第2直流电压。

13.根据权利要求1～11中任一项所述的高电压电极的绝缘结构，其特征在于，

对所述两个导体部之间施加交流电压，所述两个导体部分别具备所述导体要件。

14.根据权利要求1～13中任一项所述的高电压电极的绝缘结构，其特征在于，

所述导电材料包含石墨。

15.根据权利要求1～13中任一项所述的高电压电极的绝缘结构，其特征在于，

所述导电材料包含钨、钽或钼。

16.根据权利要求1～13中任一项所述的高电压电极的绝缘结构，其特征在于，

所述导电材料包含碳化硅、碳化钽或碳化钨。

17.根据权利要求1～13中任一项所述的高电压电极的绝缘结构，其特征在于，

所述导电材料包含铁。