[发明专利]薄膜晶体管阵列基板、制造方法及液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别是涉及一种薄膜晶体管阵列基板、制作方法及液晶显示装置。

背景技术

液晶显示装置现在已成为被人们广泛使用的平板显示装置。液晶显示装置一般包括薄膜晶体管（Thin Film Transistor,TFT）阵列基板以及彩膜基板。请参照图1A和图1B，图1A为现有的薄膜晶体管阵列基板的俯视结构示意图；图1B为沿图1A的A-A’截面线的截面图。该薄膜晶体管阵列基板10包括源极层11、漏极层12、栅极层13、绝缘层14、半导体层15、欧姆接触层16、钝化层17以及像素电极层18，其中像素电极层18可通过过孔19与漏极12连接。

现有的薄膜晶体管阵列基板10的底部设置有栅极层13，该栅极层13除了起到相应的栅极作用，还需要阻止光从晶体管阵列基板10的底面和侧面射入到半导体层15中，防止光生电流的产生。因此栅极层13的面积设置得比较大。但是大面积的栅极层13易与源极层或漏极层之间产生寄生电容，同时也导致了馈通电压（feed through voltage）的产生，大大影响了液晶显示装置的显示效果。

发明内容

本发明的目的在于提供一种寄生电容小，且可减少光生电流的产生的薄膜晶体管阵列基板、制作方法及液晶显示装置；以解决现有的薄膜晶体管阵列基板、制作方法及液晶显示装置的寄生电容较大或光生电流过大的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

提供一种薄膜晶体管阵列基板，其包括：

基板衬底，以及

从下向上依次形成在所述基板衬底上的黑色矩阵层、栅极层，绝缘层，半导体层，

欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述半导体层上相互分离的第一区域和第二区域；

第二导电层，包括源极层以及漏极层，所述源极层与所述第一区域的欧姆接触层连接，所述漏极层与所述第二区域的欧姆接触层连接；

钝化层：位于所述源极层以及所述漏极层上；以及

透明导电层：位于所述钝化层上，并通过过孔与所述漏极层电性连接，其中通过对所述透明导电层进行图形化处理，形成像素电极；

其中所述栅极层在所述基板衬底上的投影区域与所述漏极层在所述基板衬底上的投影区域存在间隙。

在本发明所述的薄膜晶体管阵列基板中，所述栅极层在所述基板衬底上的投影区域与所述源极层在所述基板衬底上的投影区域存在间隙。

在本发明所述的薄膜晶体管阵列基板中，所述黑色矩阵层设置在所述基板衬底与所述半导体层之间，用于遮挡光线从所述基板衬底一侧射向所述半导体层。

还提供一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其包括步骤：

形成分层结构于基板衬底上，所述分层结构为黑色矩阵层；

对所述黑色矩阵层进行图形化处理；

在所述分层结构上形成第一金属层；

对所述第一金属层进行图形化处理，以形成栅极层；

在所述分层结构上依次形成绝缘层、半导体层、欧姆接触层以及第二金属层，其中所述欧姆接触层位于所述半导体层上相互分离的第一区域和第二区域；

对所述第二金属层进行图形化处理，以形成第二导电层，其中所述第二导电层包括源极层以及漏极层，所述源极层与所述第一区域的欧姆接触层连接，所述漏极层与所述第二区域的欧姆接触层连接；

在所述分层结构上形成钝化层，并对所述钝化层进行图形化处理，以形成所述钝化层的过孔；

在所述分层结构上形成透明导电层，其中所述透明导电层通过所述过孔与所述漏极层电性连接，通过对所述透明导电层进行图形化处理，形成像素电极；

其中所述栅极层在所述基板衬底上的投影区域与所述漏极层在所述基板衬底上的投影区域存在间隙。

在本发明所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法中，所述栅极层在所述基板衬底上的投影区域与所述源极层在所述基板衬底上的投影区域存在间隙。

在本发明所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法中，所述黑色矩阵层设置在所述基板衬底与所述半导体层之间，用于遮挡光线从所述基板衬底一侧射向所述半导体层。

还提供一种液晶显示装置，其包括：

彩膜基板、薄膜晶体管阵列基板以及设置在所述彩膜基板与所述薄膜晶体管阵列基板之间的液晶层；其中

所述薄膜晶体管阵列基板，包括：

基板衬底，以及

从下向上依次形成在所述基板衬底上的黑色矩阵层、栅极层，绝缘层，半导体层，

欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述半导体层上相互分离的第一区域和第二区域；