[发明专利]成膜装置、基板处理装置及成膜方法

权利要求书

1.一种成膜装置，其构成为在真空容器内对基板进行成膜处理，其中，

该成膜装置包括：

旋转台，其构成为使基板载置区域进行公转，该基板载置区域构成为载置上述基板；

成膜区域，其包括构成为向上述基板载置区域供给处理气体的处理气体供给部，且构成为伴随上述旋转台的旋转在上述基板上依次层叠分子层或原子层而形成薄膜；

等离子体处理部，其构成为在等离子体产生区域中利用由等离子体产生用气体的等离子体化生成的等离子体对上述分子层或原子层进行改性处理，上述等离子体产生区域在上述旋转台的旋转方向上与上述成膜区域分开地设置；

下侧偏压电极和上侧偏压电极，为了将等离子体中的离子引入上述基板的表面，该下侧偏压电极设于上述旋转台上的上述基板的高度位置的下方侧，该上侧偏压电极配置在与上述高度位置相同的位置或配置于该高度位置的上方侧；

高频电源部，其构成为与上述下侧偏压电极和上述上侧偏压电极中的至少一方相连接，使上述下侧偏压电极和上述上侧偏压电极隔着上述等离子体产生区域进行电容耦合而在上述基板上形成偏压电位；

排气机构，其构成为对上述真空容器内进行排气。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

上述等离子体处理部为了在等离子体产生区域产生感应耦合等离子体，而具有绕铅垂轴线卷绕并与等离子体产生用高频电源相连接的天线；

上述上侧偏压电极是设于上述天线和上述等离子体产生区域之间的导电板，该导电板阻断由上述天线形成的电磁场中的电场，且为了使磁场通过而沿着天线的长度方向排列有多条狭缝，该多条狭缝以与上述天线的延伸方向交叉的方式形成。

3.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

上述下侧偏压电极和上述上侧偏压电极分别以与上述旋转台上的基板之间存在间隙区域的方式配置。

4.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

该成膜装置包括：

其他处理气体供给部，其设于在旋转台的旋转方向上与上述处理气体供给部分开的位置，且构成为供给与自该处理气体供给部供给的处理气体发生反应的气体；

分离气体供给部，其构成为向为了使被分别自上述处理气体供给部和上述其他处理气体供给部供给了气体的处理区域之间彼此分离而设于上述处理区域之间的分离区域分别供给分离气体。

5.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，

上述等离子体处理部具有构成为使等离子体产生用气体等离子体化的等离子体产生用高频电源，上述等离子体产生用高频电源兼作上述高频电源部。

6.根据权利要求5所述的成膜装置，其中，

上述等离子体处理部具有为了在上述等离子体产生区域产生电容耦合等离子体而以彼此相对的方式配置的一对对置电极。

7.一种基板处理装置，其中，

该基板处理装置包括：

旋转台，其为了使载置基板的基板载置区域公转而设于真空容器内；

等离子体处理部，其构成为为了在等离子体产生区域对基板进行等离子体处理，而向上述基板载置区域供给使等离子体产生用气体等离子体化而生成的等离子体；

下侧偏压电极和上侧偏压电极，为了将等离子体中的离子引入基板的表面，该下侧偏压电极设于上述旋转台上的基板的高度位置的下方侧，该上侧偏压电极配置在与上述高度位置相同的位置或配置于该高度位置的上方侧；

高频电源部，其构成为与上述下侧偏压电极和上述上侧偏压电极中的至少一方相连接，使上述下侧偏压电极和上述上侧偏压电极隔着上述等离子体产生区域进行电容耦合而在上述基板上形成偏压电位；

排气机构，其构成为对上述真空容器内进行排气。

8.一种成膜方法，其构成为在真空容器内对基板进行成膜处理，其中，

该成膜方法包括如下工序：

将表面形成有凹部的上述基板载置于旋转台上的基板载置区域，并使该基板载置区域公转；

接着，向上述基板载置区域的上述基板供给处理气体，在该基板上形成分子层或原子层；

接着，向上述真空容器内的等离子体产生区域供给等离子体产生用气体，并使上述等离子体产生用气体等离子体化而利用等离子体进行上述分子层或原子层的改性处理；

向设于上述旋转台上的基板的高度位置的下方侧的下侧偏压电极和配置在与上述高度位置相同的位置或配置于该高度位置的上方侧的上侧偏压电极中的至少一方供电，使上述下侧偏压电极和上述上侧偏压电极隔着上述等离子体产生区域进行电容耦合而在上述基板上形成偏压电位，从而向该基板的表面引入等离子体中的离子；

对上述真空容器内进行排气。