[发明专利]击穿电压增加的金属氧化物半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一阱，嵌入在半导体衬底中；

第二阱，嵌入在所述半导体衬底中；以及

分离结构，嵌入在所述半导体衬底中，将所述第一阱和所述第二阱分离，使得所述第一阱和所述第二阱彼此不接触。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述分离结构包括分离阱，所述分离阱包括将所述第一阱和所述第二阱分离的侧壁。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一阱包括源极区并且所述第二阱包括漏极区；并且其中，所述半导体器件还包括被设置在所述源极区和所述漏极区之间的栅极区。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中，所述第一阱被注入有第一导电类型的材料；以及

其中，所述第二阱和所述分离阱被注入有第二导电类型的材料，所述第一导电类型为p型并且所述第二导电类型为n型，并且其中，所述分离结构具有大于所述第一阱和所述第二阱的深度的深度。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述分离结构包括深N阱，所述深N阱的n型材料浓度低于所述第二阱的n型材料浓度，其中，所述侧壁具有大于或等于0.2μm的厚度。

6.一种半导体器件，包括：

第一阱，被嵌入到半导体衬底中并且包括源极区；

第二阱，在所述半导体衬底的上方并且包括漏极区；

栅极区，被设置在所述源极区和所述漏极区之间并且具有栅极长度；以及

分离壁，将所述第一阱和所述第二阱分离，所述分离壁具有壁厚度，

其中，所述第一阱和所述第二阱之间的距离大于或等于所述壁厚度并小于所述栅极长度。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括深度大于所述第一阱和所述第二阱的深度的深N阱，所述深N阱包括所述分离壁。

8.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

将第一阱嵌入到半导体衬底中；

将第二阱嵌入到所述半导体衬底中；以及

在所述半导体衬底中制造分离结构，所述分离结构将所述第一阱和所述第二阱分离，使得所述第一阱和所述第二阱彼此不接触。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

分别在所述第一阱和所述第二阱中嵌入源极区和漏极区；

嵌入设置在所述源极区和所述漏极区之间的栅极区；

在所述源极区、所述漏极区和所述栅极区上嵌入硅化物区域。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，在所述半导体衬底中制造分离结构包括：

嵌入n型材料浓度低于所述第二阱的n型材料浓度的深N阱。