[发明专利]片式元件端头包封浆料及片式元件的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种片式元件端头包封浆料以及一种片式元件的制备方法。

背景技术

近年来，随着无源元件SMT技术迅速发展，市场对无源元件电气性能及稳定性要求越来越高，具有负温度特性的热敏电阻在开展片式化同时，对工艺的精细化要求越来越高。原有的热敏电阻工艺平台生产出来的芯片1%精度合格率低，难以实现批量生产，不能满足市场对高精度热敏电阻芯片的需求。高精度生产工艺平台的开发是需要攻克的难题，特别是高精度芯片端头保护则成了关键工艺。

以行业中较为常见的0402尺寸片式负温度系数热敏电阻为例，25℃标称电阻为100kΩ的芯片，非高精度工艺平台生产出来的芯片1%精度合格率小于或等于20%，高精度生产工艺平台出来的芯片1%精度合格率也仅能达到约40%。而高精度生产平台的关键工艺是高精度端头保护工艺，如果能够解决此工艺难题，1%精度合格率还将得到大幅度提高。

发明内容

本发明的目的是提供一种片式元件端头包封浆料及其制备方法，应用本发明制成的片式元件在25℃下的电阻值一致性好，1%精度合格率可以达到70%以上；并且片式元件的表面没有不良缺陷，芯片可靠性合格。

为达到上述目的，本发明采用以下技术方案：

本发明公开了一种片式元件端头包封浆料，包括按质量百分比计的35-45%金属粉末、15-25%高分子树脂、20-35%碳酸钙和10-20%有机溶剂，并混合而成。

优选地，所述金属粉末的质量百分比为40-45%，所述高分子树脂的质量百分比为15-20%，所述碳酸钙的质量百分比为25-30%。

优选地，所述金属粉末为银粉，所述高分子树脂为环氧树脂。

本发明还公开了一种片式元件的制备方法，包括片式元件端头的包封过程，所述片式元件端头的包封过程包括以下步骤：将权利要求1至3任一项所述的包封浆料包封在片式元件的端头。

优选地，将所述包封浆料包封在片式元件的端头包括以下步骤：将所述包封浆料通过丝印机在300-450目的丝网印刷到片式元件端头，形成印刷厚度为15-50μm的包封保护层。

优选地，所述片式元件端头的包封过程还包括以下步骤：将形成所述包封保护层的片式元件端头在100-120℃下固化2-4小时；将固化后的片式元件端头包封浆料在300-450℃下进行碳化。

优选地，所述片式元件端头的包封过程还包括以下步骤：将碳化后的片式元件端头包封浆料通过超声波清洗，工作电流为1-3A，工作时间为10-25分钟。

优选地，所述印刷厚度为20-40μm。

优选地，所述固化的持续时间为2.5-3.5小时，所述碳化的温度为370-430℃。

优选地，所述包封浆料通过机械搅拌混合而成，所述机械搅拌的速率为60-100r/min。

本发明的有益效果是：本发明采用的质量百分比分别为35-45%金属粉末、15-25%高分子树脂、20-35%碳酸钙和10-20%有机溶剂混合而成的包封浆料化学物理性能稳定性好，封接性能好，粘度适中。将该配比的包封浆料包封在片式元件的端头制备成的片式元件，解决了片式元件端头保护的工艺难题，同时使制出的片式元件的1%精度合格率得到明显提高，并且片式元件的表面不会出现凸点或披锋等缺陷，其芯片的可靠性合格。

附图说明

图1是本发明优选实施例的包封浆料包封后的热敏电阻高精度芯片示意图；

图2是本发明优选实施例的包封浆料包封碳化、烧玻后的热敏电阻高精度芯片示意图。

附图标记说明：1热敏电阻高精度芯片、2包封浆料、3玻璃釉。

具体实施方式

下面对照附图并结合优选的实施方式对本发明作进一步说明。

实施例一：

本实施例提供了由不同质量配比的原料混合而成的片式元件端头包封浆料。将金属粉末、高分子树脂、碳酸钙、有机溶剂按照质量百分比分别为40%：20%：20%：20%进行机械搅拌，其中机械搅拌的速率为60-100r/min，更佳可为70-90r/min，搅拌混合后形成包封浆料，在25℃下粘度约为150-170Pa*s，固含量为70-80%。

在片式元件端头包封浆料的实施例中，金属粉末、高分子树脂、碳酸钙，有机溶剂的质量百分比还可以是：40%：20%：25%：15%，或者45%：20%：20%：15%，或者35%：25%：30%：10%，或者40%：15%：35%：10%。

此外需要说明的是，在本实施例中金属粉末最佳选用银粉。