[发明专利]片式元器件内电极的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及片式电子元器件技术领域，尤其涉及一种制作片式元器件内电极的方法。

背景技术

近年来，随着科技的进步，电子元器件得到越来越广泛的应用，随着电子产品越来越往多功能及小体积化方向发展，所以对其使用的主要配件---电子元器件体积也要求越来越小。

传统的电子元器件制作细线条内电极制作方法是，先用丝网印刷方式将需要印刷图案的区域铺满银浆，然后再使用紫外光配合相应的MASK板图案对其固化、显影、水洗，最后形成所需的电极图案。

另外专利文献CN103395307A公开了一种片式电子元器件内部电极的制备方法，主要包括：在暗室中，用负性感光导电金属浆料印刷初步内电极图形，然后在掩膜板作用下，将印刷的初步内电极图形按目标内电极图形要求要求曝光固化，再经过与负性感光导电金属浆料匹配的显影液显影，用溶剂清除精细电极图形之外的电极轮廓，保留已经固化的目标内电极图形，经干燥后完成内电极制备。

使用以上方法制作电子元器件制作细线条内电极的缺点有：（1）由于是先整面把银浆印满，再把不需要银浆的位置冲洗掉，故对银浆造成浪费；（2）由于以上方法需要使用化学溶液清洗显影，故对环境造成污染；（3）由于以上方法是在料片的表面上形成电极，电极与料片存在一定高度差，这样后面的叠层工序在加压后电极就会有被压变形的风险。

发明内容

本发明的目的在于提供一种在不浪费银浆并且不污染环境的前提下，制作片式元器件内电极的方法。

为达到上述目的，本发明采用以下技术方案：

本发明公开了一种片式元器件内电极的制作方法，包括以下步骤：S1：配制陶瓷流延浆料；S2：所述陶瓷流延浆料经流延、烘干后形成陶瓷生片；S3：用激光器在所述陶瓷生片上雕刻出沟槽；S4：将银浆填充到所述沟槽中，形成片式元器件内电极。

优选地，步骤S4中采用喷墨印刷技术将银浆填充到所述沟槽，使所述沟槽刚好填满，所述银浆形成的电极与所述陶瓷生片的表面在同一水平上。

优选地，步骤S1中采用球磨配料方式配制陶瓷流延浆料，其中所述球磨配料方式的球磨转速为40-50r/min，球磨时间为39-41h。

优选地，步骤S2中的流延步骤是采用流延机将所述陶瓷流延浆料流在离型膜上，所述流延机的流延速率为2.9-3.5m/min，刀口高度为95-195μm，排气量为185-215m³/h。

优选地，步骤S2中的烘干步骤中的烘干温度分为五个阶段：第一阶段为45～51℃；第二阶段为52～58℃；第三阶段为62～68℃；第四阶段为69～75℃；第五阶段为62～68℃，各阶段的烘干时间均为2～4min。

优选地，所述沟槽的宽度为10-25μm，深度为10-15μm。

优选地，所述银浆的粘度系数小于或等于50000CPS。

优选地，所述陶瓷流延浆料包括玻璃粉、粘合剂、分散剂、溶剂和增塑剂。

优选地，所述玻璃粉采用MGA粉料，所述粘合剂采用罗门哈斯Paraloid^TM劳柏拉热塑性丙烯酸树脂A-21，所述分散剂采用高性能亚磷酸酯抗氧剂S9228，所述溶剂采用乙酸乙酯和异丙醇的混合物，所述增塑剂采用己二酸二辛脂。

优选地，所述陶瓷流延浆料中的所述MGA粉料、所述高性能亚磷酸酯抗氧剂S9228、所述乙酸乙酯、所述罗门哈斯Paraloid^TM劳柏拉热塑性丙烯酸树脂A-21、所述异丙醇和所述己二酸二辛脂的质量配比依次为1：0.015：2：0.3：0.1：0.1。

本发明的有益效果是：

本发明采用沟槽填充方式来制作片式元器件内电极，只需将银浆填充到沟槽中，不会造成多余的银浆的浪费；同时也不需使用化学溶液清洗显影，不会造成环境污染。

进一步地，本发明可采用高精度固态激光器雕刻出高精度的沟槽，沟槽的宽度和深度的极差都可以控制在±1μm以内，为制备高精度超细内电极奠定基础。

更进一步地，本发明可采用喷墨印刷技术进行填充，内电极的宽度及厚度均与雕刻出的高精度沟槽一样，线宽与线厚的极差也可以控制在±1μm以内；并且由于银浆刚好把沟槽填满，形成的电极线条与陶瓷生片的表面在同一水平上，这样后面的叠层工序在加压后内电极也不会有被压变形的风险。

附图说明

图1是本发明实施例中在陶瓷生片上雕刻出沟槽的俯视图；

图2是在图1中的陶瓷生片上的沟槽中填充银浆后形成内电极的俯视图；