[发明专利]一种射频放大电路

说明书

技术领域

本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种射频放大电路。

背景技术

射频功率放大电路，简称射频放大电路，是无线电发射机的重要组成部分。在发射机的前级电路中，调制振荡电路所产生的射频信号功率很小，需要经过射频放大电路将信号放大后，才能馈送到天线上辐射出去。因此，射频放大电路是无线电信号强度和通信质量的重要保障。

在现有技术中，为了集成出高质量的射频放大电路，电路中的放大器件通常会选择砷化镓半导体材料，这是因为砷化镓半导体材料电子迁移率很高，能够快速传导电流，转换效率高。但是，由于砷化镓价格昂贵，成本高，因此，人们需要开始将注意力转移到成本低且易于集成的CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体）

将射频放大电路中的砷化镓半导体放大器件替换为CMOS之后，如图1所示，虽然也能实现功率放大，但是，由于各射频放大支路距离总输入输出的路径长度不相同，导致各支路放大后的信号功率不同，相位也不同，因此，最终输出的射频信号误差大，质量差。

但本申请发明人在实现本申请实施例中发明技术方案的过程中，发现上述技术至少存在如下技术问题：

砷化镓半导体虽然有着很好的性能，但是成本高。而现有技术中用简单地将电路中的放大器件用CMOS代替砷化镓，输出后的射频信号误差大，会影响后续的通信质量。即：在现有技术中，存在CMOS射频放大电路放大信号功率和相位不一致而导致的误差大，质量差的技术问题。

发明内容

本申请通过提供一种射频放大电路，解决了在现有技术中，存在CMOS射频放大电路放大信号功率和相位不一致而导致的误差大，质量差的技术问题，实现了提供一种输出功率和相位一致的CMOS射频放大电路的技术效果。

本发明实施例提供了一种射频放大电路，包括：

总输入端；

总输出端；

N个支路输入端，连接至所述总输入端，其中，N为大于等于2的整数；

N个射频放大模块，其中，所述N个射频放大模块中的第i个射频放大模块与所述N个支路输入端中的第i个支路输入端连接，i为1至N间的任意整数；

N个支路输出端，连接至所述总输出端，所述N个支路输出端中的第i个支路输出端与所述第i个射频放大模块连接，所述N个射频放大模块之间的夹角均为相同，以使得从所述N个支路输出端输出的信号相位和功率相同。

优选的，所述第i个射频放大模块，具体包括：

第i个驱动单元，与所述第i个支路输入端连接；

第i个功率放大单元，所述第i个驱动单元和所述第i个输出端连接。

优选的，

所述第i个射频放大模块，还包括：

第i个输入转换单元，连接在所述第i个驱动单元和所述第i个支路输入端之间；

第i个输出转换单元，连接在所述第i个功率放大单元和所述第i个支路输出端之间。

优选的，所述第i个射频放大模块，还包括：

第i个内部转换单元，连接在所述第i个功率放大单元和所述第i个驱动单元之间。

优选的，所述第i个驱动单元，具体包括：

第一放大电路，与所述第i个输入转换单元连接；

第一反馈电路，连接在所述第i个内部转换单元和所述第i个输入转换单元之间。

优选的，所述第i个功率放大单元，具体包括：

第二放大电路，与所述第i个内部转换单元连接；

第二反馈电路，连接在所述第i个输出转换单元和所述第i个内部转换单元之间。

优选的，所述第一放大电路中包括至少一个第一放大器件，所述第二放大电路中包括至少一个第二放大器件。

优选的，所述至少一个第一放大器件和所述至少一个第二放大器件皆为：互补金属氧化物半导体CMOS。

本申请实施例中的上述一个或多个技术方案，至少具有如下一种或多种技术效果：