[发明专利]硅化物形成中的双层金属沉积

权利要求书

1.一种形成鳍式场效应晶体管的方法，包括：

实施第一溅射以在半导体区的表面上形成第一金属膜，使用第一离子能量来实施所述第一溅射；

实施第二溅射以在所述第一金属膜上方形成与所述第一金属膜接触的第二金属膜，所述第一金属膜和第二金属膜包括相同的金属，并且使用比所述第一离子能量低的第二离子能量来实施所述第二溅射；以及

实施退火以使所述第一金属膜和第二金属膜与所述半导体区反应以形成金属硅化物；

其中，在实施所述第一溅射之后，将腔室中的压力从第一压力增加至第二压力，在所述腔室中和所述第一压力下实施所述第一溅射，并且在所述腔室中和所述第二压力下实施所述第二溅射。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一离子能量与所述第二离子能量的比率大于2。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一溅射和所述第二溅射中，在所述半导体区上方沉积镍。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体区位于介电层中的开口下方，当实施所述第一溅射时，所述半导体区的顶面暴露于所述开口，所述方法还包括：

在所述退火之前，在所述第二金属膜上方形成金属氮化物覆盖层；以及

在所述退火之后，用金属材料填充所述开口的剩余部分，所述金属材料位于所述金属氮化物覆盖层的上方并且与所述金属氮化物覆盖层接触。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

外延生长所述半导体区；

在所述半导体区上方形成层间介电质(ILD)；以及

在所述第一溅射之前，在所述层间介电质中形成开口以暴露所述半导体区。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述层间介电质中形成所述开口的过程中，保留所述层间介电质的一部分以使所述半导体区的面朝下的小平面嵌入在所述层间介电质中。

7.一种形成鳍式场效应晶体管的方法，包括：

形成晶体管的栅叠件；

形成所述晶体管的源极/漏极区，所述源极/漏极区与所述栅叠件相邻；

形成层间介电质(ILD)以覆盖所述源极/漏极区；

在所述层间介电质中形成接触开口，至少暴露所述源极/漏极区的顶面；

在所述源极/漏极区的顶面上方沉积第一金属膜，使用第一离子能量来实施沉积所述第一金属膜；

在所述第一金属膜上方沉积与所述第一金属膜接触的第二金属膜，使用比所述第一离子能量低的第二离子能量来沉积所述第二金属膜；以及

实施退火，以使至少所述第一金属膜与所述源极/漏极区反应而形成金属硅化物；

其中，在沉积所述第一金属膜之后，将腔室中用于沉积所述第一金属膜的第一压力增加至第二压力，分别在所述第一压力和所述第二压力下沉积所述第一金属膜和所述第二金属膜。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述退火之后，硅化所述第二金属膜的一部分。

9.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在所述退火之前，在所述第二金属膜上方形成金属氮化物覆盖层。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在所述退火之后，用金属填充所述开口的剩余部分，所述金属位于所述金属氮化物覆盖层上方并且与所述金属氮化物覆盖层接触。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，所述源极/漏极区包括面朝向上的小平面和面朝下的小平面，并且在所述层间介电质中形成所述接触开口之后，所述面朝下的小平面隐埋在所述层间介电质的剩余部分中，而所述面朝上的小平面暴露于所述接触开口。

12.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一金属膜和所述第二金属膜包括相同的金属。