[发明专利]单晶硅直拉法热屏调整工艺有效
| 申请号： | 201310689227.7 | 申请日： | 2013-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN103668440B | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 小暮康弘;贺贤汉;彭海鹏;王汉君 | 申请（专利权）人： | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司31203 | 代理人： | 沈履君 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 直拉法热屏 调整 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.单晶硅直拉法热屏调整工艺，其特征在于，包括如下步骤：
第一步，当化料完成并且温度稳定后热屏下降，此时热屏底端和坩埚内硅液表面的距离为10毫米～30毫米；
第二步，热屏升高，此时热屏底端和坩埚内硅液表面的距离为130毫米～200毫米，待温度稳定后开始籽晶浸入熔体的过程；
第三步，籽晶浸入熔体过程完成后，热屏下降，此时热屏底端和坩埚内硅液表面的距离为10毫米～30毫米。
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