[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

多个导电部件，配置在工件上方，所述多个导电部件的每一个都包括导线部分和通孔部分；

阻挡层，配置在所述多个导电部件的每一个的侧壁上和所述多个导电部件的每一个的通孔部分的底面上；

第一蚀刻停止层，配置在所述工件上方；

第一绝缘材料层，配置在所述多个导电部件的每一个的导线部分的一部分之下；

第二绝缘材料层，配置在所述多个导电部件之间并且与所述第一绝缘材料层直接接触；

第三绝缘材料层，配置在所述第一绝缘材料层和所述第二绝缘材料层之下，并且配置在所述第一蚀刻停止层之上；以及

第二蚀刻停止层，配置在所述第三绝缘材料层上方和所述第一绝缘材料层与所述第二绝缘材料层之下；

其中，所述多个导电部件的每一个的通孔部分的下部形成在所述第三绝缘材料层和所述第二蚀刻停止层内，并且所述第二绝缘材料层的介电常数低于所述第一绝缘材料层或所述第三绝缘材料层的介电常数。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述阻挡层包括介电层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述介电层包括选自由SiN、SiCN、SiC、BN、BNSi、非晶B和它们的组合组成的组的材料。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述介电层的厚度介于5埃与100埃之间。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述阻挡层还包括配置在所述介电层上方的金属层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘材料层或所述第三绝缘材料层的孔隙率介于5％与15％之间，或所述第一绝缘材料层或所述第三绝缘材料层的介电常数(k)为2.0以上。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二绝缘材料层的孔隙率为15％以上，或所述第二绝缘材料层的介电常数(k)为3.0以下。

8.一种半导体器件，包括：

第一蚀刻停止层，配置在工件上方；

第一绝缘材料层，配置在所述第一蚀刻停止层上方；

第二蚀刻停止层，配置在所述第一绝缘材料层上方；

多个导电部件，配置在所述工件上方，所述多个导电部件的每一个都包括导线部分和通孔部分，所述多个导电部件的每一个的通孔部分的一部分形成在所述第一绝缘材料层和所述第二蚀刻停止层中；

阻挡层，配置在所述多个导电部件的每一个的侧壁上和所述多个导电部件的每一个的通孔部分的底面上；

第二绝缘材料层，在所述第二蚀刻停止层上方配置在所述多个导电部件的每一个的导线部分的一部分之下；以及

第三绝缘材料层，配置在所述多个导电部件之间，其中，所述第三绝缘材料层的介电常数低于所述第一绝缘材料层或所述第二绝缘材料层的介电常数。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘材料层、所述第二绝缘材料层或所述第三绝缘材料层包括SiOCH。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一蚀刻停止层或所述第二蚀刻停止层包括选自由氧化硅、氮化硅、碳化硅、硼化硅、非晶硼、氮化硼和它们的组合组成的组的材料。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一蚀刻停止层或所述第二蚀刻停止层的厚度介于25埃与500埃之间。

12.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘材料层和所述第二绝缘材料层与所述第三绝缘材料层的材料量比介于1:3与3:1之间。