[发明专利]反铁电晶体铌镥酸铅-钛酸铅及其制备方法

权利要求书

1.一种反铁电晶体材料铌镥酸铅-钛酸铅，其特征在于：该材料化学式为(1-x)Pb(Lu_1/2Nb_1/2)O_3-xPbTiO₃，其中，0<x<0.3，属于典型的钙钛矿结构。

2.根据权利要求1所述的反铁电晶体材料，特征在于：该材料的化学组成为0.93PLN-0.07PT。

3.一种权利要求1所述的反铁电晶体材料的制备方法，采用高温溶液法制备，包括如下步骤：

(1)将初始原料PbO或Pb₃O₄、Lu₂O₃、TiO₂、Nb₂O₅按晶体的化学组成进行配比；

(2)助溶剂采用PbO和Pb₃O₄中的一种，与H₃BO₃和B₂O₃中的一种作为复合助溶剂；

(3)将晶体原料和助溶剂在容器中搅拌混合研磨；

(4)将混合均匀的粉料装入铂金坩埚中，并把铂金坩埚置于晶体生长炉中化料；

(5)在晶体生长过程中将原料加热至900-1200℃之间，恒温一定时间，然后以每天1-20℃的速率降温；生长结束，以5-40℃/h降温退火，后取出晶体。

4.一种权利要求1所述的反铁电晶体材料的制备方法，采用顶部籽晶法制备，包括如下步骤：

(1)将初始原料PbO或Pb₃O₄、Lu₂O₃、TiO₂、Nb₂O₅按晶体的化学组成进行配比；

(2)助溶剂采用PbO或Pb₃O₄和H₃BO₃或B₂O₃复合助溶剂；

(3)将晶体原料和助溶剂在容器中搅拌混合研磨；

(4)将混合均匀的粉料装入铂金坩埚中，并把铂金坩埚置于晶体生长炉中化料；

(5)在晶体生长过程中将原料加热至900-1200℃之间，恒温一定时间；然后用高温溶液法生长的籽晶找到过饱和温度，在过饱和温度引入籽晶生长，生长过程中晶转速率为5-30rpm，降温速率为每天0.1-5℃；生长结束，以5-40℃/h降温退火，后取出晶体。

5.一种权利要求1所述的反铁电晶体材料的用途，其特征在于：该材料用于反铁电储能材料领域的器件上。