[发明专利]一种提高大直径区熔硅单晶生产质量的方法有效
申请号: | 201310690078.6 | 申请日: | 2013-12-16 |
公开(公告)号: | CN104711664A | 公开(公告)日: | 2015-06-17 |
发明(设计)人: | 杨凯;闫志瑞 | 申请(专利权)人: | 有研新材料股份有限公司;有研半导体材料有限公司 |
主分类号: | C30B13/28 | 分类号: | C30B13/28;C30B29/06 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 刘秀青;熊国裕 |
地址: | 100088 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 直径 区熔硅单晶 生产 质量 方法 | ||
1.一种提高大直径区熔硅单晶生产质量的方法,该方法主要包括籽晶熔接、引晶、放肩、等径、收尾步骤,其特征在于,在放肩过程中,通过以下步骤确定并控制该过程中加热线圈的功率:(1)根据所要生产的硅单晶的直径将欲放肩形成的漏斗形熔区划分为数个生长区间;(2)然后根据所划分的生长区间确定每个生长区间的生长时间;(3)最后根据所确定的生长时间确定每个生长区间内加热线圈需要增加的功率。
2.根据权利要求1所述的提高大直径区熔硅单晶生产质量的方法,其特征在于,数个生长区间与其对应的生长时间在坐标系中的关系曲线为右开口抛物线,其中横坐标表示生长时间,纵坐标表示生长区间。
3.根据权利要求1所述的提高大直径区熔硅单晶生产质量的方法,其特征在于,每个生长区间的生长时间与加热线圈需要增加的功率在坐标系中的关系曲线为左开口抛物线,其中横坐标表示生长时间,纵坐标表示增加的功率。
4.根据权利要求1所述的提高大直径区熔硅单晶生产质量的方法,其特征在于,所述大直径区熔硅单晶的直径为6英寸以上。
5.根据权利要求1所述的提高大直径区熔硅单晶生产质量的方法,其特征在于,生产6英寸区熔硅单晶,欲放肩形成的漏斗形熔区划分为7个生长区间,衣次为0~70mm、70~90mm、90~110mm、110~130mm、130~140mm、140~145mm、145~150mm。
6.根据权利要求5所述的提高大直径区熔硅单晶生产质量的方法,其特征在于,对应每个生长区间的生长时间依次为:25~55s、25~55s、35~65s、55~85s、55~85s、75~105s、125~155s。
7.根据权利要求5所述的提高大直径区熔硅单晶生产质量的方法,其特征在于,对应每个生长区间的加热线圈需要增加的功率百分比为0~1%、0~1%、0~1%、0~1%、02~08%、03~07%、04~06%。
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