[发明专利]闪烁体、放射线检测装置和放射线检测系统

说明书

技术领域

本发明涉及闪烁体、放射线检测装置和放射线检测系统。

背景技术

存在包含闪烁体和传感器阵列的放射线检测装置，该闪烁体将放射线转换成光，该传感器阵列检测由闪烁体转换的光。例如，可通过诸如真空沉积（其使用以掺杂Tl的CsI材料为代表的基于碱卤化物的材料）的沉积形成闪烁体。闪烁体可被形成为含有多个通过沉积生长的柱晶的柱晶层。在柱晶层的表面上有时形成异常生长部分。可想到的原因是沉积时材料的暴沸和异物的捕获等。

日本专利公开No.2011-2472公开了一种向闪烁体的表面施加压力以使异常生长部分平坦化的方法。国际公开No.10/010725公开了一种通过粘接辊等清洁闪烁体面板的表面以移除异常生长部分（喷溅物）的方法。日本专利公开No.2005-181121公开了一种通过压力加工来减低异常生长部分（喷溅物）的高度并然后利用保护层覆盖异常生长部分（喷溅物）的方法。

在通过减少或移除异常生长部分的方法所获得的放射线成像装置中，放射线转换成光的效率在成像区域内极大地变化，并且获得的图像的质量较差。

发明内容

本发明提供一种有利于获得高质量图像的技术。

本发明的第一方面提供一种包括闪烁体层和覆盖层的闪烁体，该闪烁体层包含被配置为将放射线转换成光的多个柱晶，该覆盖层被配置为覆盖闪烁体层，其中，闪烁体层包含突起，并且覆盖层覆盖闪烁体层以防止突起突破覆盖层，并且含有被配置为将放射线转换成光的粒子。

本发明的第二方面提供一种放射线检测装置，包括：被限定为本发明的第一方面的闪烁体；以及被配置为检测由闪烁体转换的光的传感器阵列。

本发明的第三方面提供一种放射线检测系统，包括：被限定为本发明的第二方面的放射线检测装置；以及被配置为处理来自放射线检测装置的信号的信号处理器。

本发明的进一步的特征从以下参照附图的示例性实施例的描述将变得清晰。

附图说明

图1A和图1B是示出根据本发明的实施例的闪烁体的结构的示意性截面图；

图2A～2D是用于解释根据本发明的第一实施例的闪烁体和包含它的放射线成像装置以及制造它们的方法的截面图；

图3A～3D是用于解释根据本发明的第二实施例的闪烁体和包含它的放射线成像装置以及制造它们的方法的截面图；

图4A～4D是用于解释根据本发明的第三实施例的闪烁体和包含它的放射线成像装置以及制造它们的方法的截面图；

图5A～5C是用于解释根据本发明的第四实施例的闪烁体和包含它的放射线成像装置以及制造它们的方法的截面图；

图6是示出根据本发明的实施例的放射线检测系统的布置的示图。

具体实施方式

现在将参照附图示例性地描述本发明的优选实施例。

将参照图1A和图1B描述根据本发明的实施例的闪烁体100的结构。图1A是根据本发明的实施例的闪烁体100的示意性截面图。图1B是图1A中的部分A的示意性放大截面图。闪烁体100包含闪烁体层5和覆盖层7，该闪烁体层5包含用于将放射线转换成光的多个柱晶52，该覆盖层7覆盖闪烁体层5。闪烁体层5包含突起6。覆盖层7覆盖闪烁体层5以防止突起6突破覆盖层7。覆盖层7包含用于将放射线转换成光的粒子（particle）72。粒子72可由与形成柱晶52的材料相同或不同的材料制成。然而，形成粒子72的材料和形成柱晶52的材料优选地相同，原因在于，闪烁体层5和粒子72中将放射线转换成光的特性（例如，要被转换的光的波长）彼此接近。突起6一般是当多个柱晶52生长时通过异常生长（abnormal growth）而产生的异常生长部分。覆盖层7可以是含有粒子72的树脂层。

通过在覆盖层7中含有用于将放射线转换成光的粒子72，可抑制由突起6引起的图像质量（例如，感度（sensitivity）的变化或MTF）的降低。例如，在突起6存在的部分处闪烁体层5将放射线转换成光的效率比在剩余的部分处高。然而，在覆盖层7覆盖突起6的部分处覆盖层7的厚度比在剩余的部分处小。由此，在覆盖层7覆盖突起6的部分处粒子72的数量比在剩余的部分处粒子72的数量少。这减少了闪烁体层5中将放射线转换成光的效率的变化。粒子72的形状不限于特定的形状，并且可以是球形、柱形、长方体形或锥形。