[发明专利]一种变方阻薄膜电阻网络

权利要求书

1.一种变方阻薄膜电阻网络，其特征在于，包括：

衬底；

设置于衬底上的缓冲隔离层；

设置于缓冲隔离层上的中心薄膜电阻和旁路薄膜电阻；

以及设置于缓冲隔离层上的由信号传输线及地线组成的连接中心薄膜电阻和旁路薄膜电阻的信号通路；

其中，所述中心薄膜电阻和旁路薄膜电阻中均包含杂质元素，且包含的杂质元素浓度不同，具有不同的方块电阻，通过信号传输线及地线相连形成完整的信号通路。

2.根据权利要求1所述的变方阻薄膜电阻网络，其特征在于，所述缓冲隔离层厚度为100-500nm，以阻挡制作中心薄膜电阻和旁路薄膜电阻过程中的杂质元素扩散，防止漏电。

3.根据权利要求1所述的变方阻薄膜电阻网络，其特征在于，所述地线有两条，分别设置在信号传输线两侧，和信号传输线共同组成共面波导传输线。

4.根据权利要求1所述的变方阻薄膜电阻网络，其特征在于，所述中心薄膜电阻和旁路薄膜电阻为多晶硅薄膜电阻。

5.根据权利要求1所述的变方阻薄膜电阻网络，其特征在于，所述方块电阻大于10Ω/□，小于5000Ω/□。

6.根据权利要求1所述的变方阻薄膜电阻网络，其特征在于，所述中心薄膜电阻和旁路薄膜电阻的厚度一样，是10^-7m量级，二者的图形面积大小差别小于2倍。

7.根据权利要求1所述的变方阻薄膜电阻网络，其特征在于，所述中心薄膜电阻和旁路薄膜电阻中包含的杂质元素为硼或磷，通过离子注入方法完成掺杂。

8.根据权利要求1-7任一权利要求所述的变方阻薄膜电阻网络，其特征在于，所述信号传输线有三段，呈直线排列设置在两条地线之间，中心薄膜电阻和旁路薄膜电阻均有两个，两个中心薄膜电阻分别设置在相邻的两段信号传输线之间，与信号传输线形成欧姆接触；一个旁路薄膜电阻连接在中间段信号传输线和一条地线之间，另一个旁路薄膜电阻连接在中间段信号传输线和另一条地线之间，旁路薄膜电阻与所连接的信号传输线和地线形成欧姆接触，由此构成T型电阻网络。

9.根据权利要求1-7任一权利要求所述的变方阻薄膜电阻网络，其特征在于，所述信号传输线有两段，呈直线排列设置在两条地线之间，中心薄膜电阻有一个，旁路薄膜电阻有四个，所述中心薄膜电阻设置在两段信号传输线之间，与信号传输线形成欧姆接触；四个旁路薄膜电阻分别设置在一段信号传输线与一条地线之间、一段信号传输线与另一条地线之间、另一段信号传输线与一条地线之间以及另一段信号传输线与另一条地线之间，并与所连接的信号传输线和地线形成欧姆接触，由此构成π型电阻网络。

10.根据权利要求1所述的变方阻薄膜电阻网络，其特征在于，通过使所述中心薄膜电阻和旁路薄膜电阻中包含不同的杂质元素浓度，从而使得信号通过所述T型/π型电阻网络后，获得大的调整幅度；通过改变中心薄膜电阻和旁路多晶硅中包含的杂质元素浓度，从而使得信号通过相同尺寸的薄膜电阻网络时，获得不同的调整幅度。