[发明专利]一种单片机与上位机串口电平转换电路无效

专利信息
申请号: 201310692840.4 申请日: 2013-12-17
公开(公告)号: CN103701453A 公开(公告)日: 2014-04-02
发明(设计)人: 张德强 申请(专利权)人: 迈普通信技术股份有限公司
主分类号: H03K19/0175 分类号: H03K19/0175
代理公司: 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 代理人: 周永宏
地址: 610041 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 单片机 上位 串口 电平 转换 电路
【权利要求书】:

1.一种单片机与上位机串口电平转换电路,其特征在于,包括RS232电平接收发射单元、TTL电平接收发射单元以及电平转换单元,所述RS232电平接收发射单元包括PCTX发送端和PCRX接收端,所述TTL电平接收发射单元包括TXD发送端和RXD接收端;所述PCTX发送端、PCRX接收端、TXD发送端以及RXD接收端分别与电平转换单元连接。

2.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述电平转换单元包括第一三极管(Q1),第二三极管(Q2),第一电阻(R1),第二电阻(R2),第三电阻(R3),第四电阻(R4),第五电阻(R5),第六电阻(R6),光电耦合器(U1),二极管(D1),以及电容(E);

所述第一三极管(Q1)的集电极与RXD接收端连接,基极与第二电阻(R2)的第二端连接,发射极与地连接;所述第二三极管(Q2)的发射极与第三电阻(R3)的第一端连接,基极与第四电阻(R4)的第二端连接,集电极与第五电阻(R5)的第一端连接;所述第一电阻(R1)的第一端与所述第一三极管(Q1)的集电极连接,第二端与VCC连接;所述第二电阻(R2)的第一端与PCTX发送端连接,第二端与所述第一三极管(Q1)的基极连接;所述第三电阻(R3)的第一端与所述第二三极管(Q2)的发射极连接,第二端与VCC连接;所述第四电阻(R4)的第一端与TXD发送端连接,第二端与所述第二三极管(Q2)的基极连接;所述第五电阻(R5)的第一端所述第二三极管(Q2)的集电极连接,第二端与PCRX接收端连接;所述第六电阻(R6)的第一端与PCTX发送端连接,第二端与所述第一二极管(D1)的负极连接;所述光电耦合器的第一端与所述第二三极管(Q2)的基极连接,第二端与地连接,第三端与所述第二三极管(Q2)的集电极连接,第四端与所述二极管(D1)的正极连接;所述电容(E)的正极与地连接,负极与所述二极管(D1)的正极连接。

3.如权利要求2所述的电路,其特征在于,所述PCTX发送端发送逻辑电压1,第一三极管(Q1)截止,RXD接收端的逻辑电压为1。

4.如权利要求2所述的电路,其特征在于,所述PCTX发送端发送逻辑电压0,第一三极管(Q1)导通,RXD接收端的逻辑电压为0。

5.如权利要求2所述的电路,其特征在于,所述TXD发送端发送逻辑电压1,光电耦合器(U1)截止,第二三极管(Q2)导通,PCRX接收端的逻辑电压为1。

6.如权利要求2所述的电路,其特征在于,所述TXD发送端发送逻辑电压0,第二三极管(Q2)截止,光电耦合器(U1)导通,PCRX接收端的逻辑电压为0。

7.如权利要求2至6任一项所述的电路,其特征在于,所述光电耦合器(U1)可以用双极型MOS管代替。

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