[发明专利]增强硅薄膜太阳电池光吸收的织构横向错位方法有效
| 申请号： | 201310692912.5 | 申请日： | 2013-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN103646998A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 高斐;王皓石;刘生忠;訾威;陈彦伟;武怡;宋飞莺;马笑轩;肖锋伟 | 申请（专利权）人： | 陕西师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 西安永生专利代理有限责任公司 61201 | 代理人： | 高雪霞 |
| 地址： | 710062 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 增强 薄膜 太阳电池 光吸收 横向 错位 方法 | ||
1.一种增强硅薄膜太阳电池光吸收的织构横向错位方法，其特征在于：在硅的N-I-P层与前、背两个透明导电氧化物层之间分别刻蚀周期边长为200～500nm的锯齿状三角一维光栅，其中硅的N-I-P层前表面的三角一维光栅与硅的N-I-P层背表面的三角一维光栅横向错位20～160nm。
2.根据权利要求1所述的增强硅薄膜太阳电池光吸收的织构横向错位方法，其特征在于：所述的锯齿状三角一维光栅的周期边长为200nm，其中硅的N-I-P层前表面的三角一维光栅与硅的N-I-P层背表面的三角一维光栅横向错位20～60nm。
3.根据权利要求1所述的增强硅薄膜太阳电池光吸收的织构横向错位方法，其特征在于：所述的锯齿状三角一维光栅的周期边长为300nm，其中硅的N-I-P层前表面的三角一维光栅与硅的N-I-P层背表面的三角一维光栅横向错位30～120nm。
4.根据权利要求1所述的增强硅薄膜太阳电池光吸收的织构横向错位方法，其特征在于：所述的锯齿状三角一维光栅的周期边长为400nm，其中硅的N-I-P层前表面的三角一维光栅与硅的N-I-P层背表面的三角一维光栅横向错位40～160nm。
5.根据权利要求1所述的增强硅薄膜太阳电池光吸收的织构横向错位方法，其特征在于：所述的锯齿状三角一维光栅的周期边长为500nm，其中硅的N-I-P层前表面的三角一维光栅与硅的N-I-P层背表面的三角一维光栅横向错位50～150nm。
6.根据权利要求1所述的增强硅薄膜太阳电池光吸收的织构横向错位方法，其特征在于：所述的锯齿状三角一维光栅的周期边长为400nm，其中硅的N-I-P层前表面的三角一维光栅与硅的N-I-P层背表面的三角一维光栅横向错位120nm。
7.根据权利要求1所述的增强硅薄膜太阳电池光吸收的织构横向错位方法，其特征在于：所述的透明导电氧化物层是掺铝氧化锌层或铟锡氧化物层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
