[发明专利]通过引入碳阻挡减小MEMS静摩擦

权利要求书

1.一种用于制造微机电系统（MEMS）器件的方法，所述方法包括：

在衬底之上形成第一多晶硅层;

在所述第一多晶硅层之上形成牺牲层，其中所述牺牲层包括通过使用四乙氧基硅烷（TEOS）气体沉积的氧化硅；

在所述牺牲层之上形成第二多晶硅层;

退火所述第二多晶硅层，其中所述退火包括将所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层以及所述牺牲层加热到足以减轻在所述第二多晶硅层中的应力的温度；以及

在所述牺牲层与所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层中的一个或多个之间形成碳阻挡层，其中所述碳阻挡层在所述退火期间防止碳从所述牺牲层扩散到相邻的多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述碳阻挡层包括硅氮化物或硅-锗-碳之一。

3.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述碳阻挡层包括：

沉积所述碳阻挡层到大约45nm或更大的厚度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述碳阻挡层包括：

在所述第一多晶硅层的至少一部分之上并与其相接触地形成所述碳阻挡层，其中形成所述碳阻挡层先于形成所述牺牲层被执行。

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述碳阻挡层包括：

在所述牺牲层之上并与其相接触地形成所述碳阻挡层，其中形成所述碳阻挡层先于形成所述第二多晶硅层被执行；以及

所述第二多晶硅层的至少一部分与所述碳阻挡层相接触地被形成。

6.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述碳阻挡层包括：

在所述第一多晶硅层的至少一部分之上并与其相接触地形成第一碳阻挡层，其中所述第一碳阻挡层先于形成所述牺牲层被形成；以及

在所述牺牲层上之上并与其相接触地形成第二碳阻挡层，其中

所述第二碳阻挡层先于形成所述第二多晶硅层被形成，以及

所述第二多晶硅层的至少一部分与所述第二碳阻挡层相接触地被形成。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述退火之后移除所述牺牲层，其中所述移除使用湿蚀刻。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在所述退火之后移除所述碳阻挡层。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述衬底之上形成第一绝缘层，其中所述第一多晶硅层形成于所述第一绝缘层之上；以及

在所述第一多晶硅层的至少一部分之上形成第二绝缘层。

10.一种微机电系统（MEMS）器件，包括：

包括形成于衬底之上的第一多晶硅层和形成于所述第一多晶硅层的至少一部分之上的第一绝缘层的固定表面；

包括提供面向所述固定表面的主表面的第二多晶硅层的可移动体；以及

形成于所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层的所述主表面中的至少一个之上的碳阻挡层。

11.根据权利要求10所述的MEMS器件，其中所述碳阻挡层包括：

硅氮化物或硅-锗-碳之一。

12.根据权利要求10所述的MEMS器件，其中所述碳阻挡层包括：

足以防止碳从在所述MEMS器件制作期间使用的TEOS牺牲层扩散到相邻的多晶硅层的厚度。

13.根据权利要求12所述的MEMS器件，其中所述碳阻挡层的所述厚度至少大约为45nm。

14.根据权利要求10所述的MEMS器件，其中所述MEMS器件是加速计。

15.一种用于制作微机电系统（MEMS）器件的方法，所述方法包括：

形成包括第一多晶硅层的固定表面;

形成提供面向所述固定表面的主表面的可移动体，其中所述主表面的至少一部分被配置以接触所述固定表面的至少一部分以及所述主表面的所述至少一部分包括第二多晶硅层;

在所述固定表面和所述可移动体之间形成牺牲层，其中所述牺牲层包括通过使用四乙氧基硅烷（TEOS）气体沉积的氧化硅；以及

形成所述第一多晶硅层或所述第二多晶硅层中的至少一个，以便源自所述牺牲层的碳不扩散到所述第一多晶硅层或所述第二多晶硅层中的至少一个中。