[发明专利]一种铜/石墨核壳结构的制备工艺

权利要求书

1.一种铜/石墨核壳结构的制备工艺，其特征是：采用RF-PECVD设备，利用DPS-Ⅲ型超高真空对靶磁控溅射制备的铜薄膜为铜源，成功的制备了铜/石墨核壳结构（GS/CC）材料。

2.根据权利要求1所述的一种铜/石墨核壳结构的制备工艺，其特征是：铜薄膜的制备：采用DPS-Ⅲ型超高真空对靶磁控溅射镀膜设置来制备厚度为120nm的铜薄膜，使用的基片为单晶Si100，靶材是直径为6cm的高纯铜靶（纯度为99.95%）。将Si（100）基片分别用丙酮、酒精和去离子水超声清洗15min后放入镀膜设备的样品台上，当真空室的背景压强低于5×10⁴Pa后，开始在Si（100）上沉积铜膜，沉积过程中，Ar气流量为60sccm，溅射压强为0.5Pa，溅射电流为0.1A。。

3.根据权利要求1所述的一种铜/石墨核壳结构的制备工艺，其特征是：铜/石墨核壳结构材料的制备：将对靶磁控溅射制备的铜薄膜放入射频等离子体增强化学气相沉积设备（RF-PECVD）的反应室中，当反应室的压强低于10Pa后，通入Ar气（流量为20sccm），并保持反应室的气体压强为220Pa，开始升温，40min后将铜薄膜升温到800℃并恒温10min，此时铜薄膜将转变成铜颗粒。

4.根据权利要求1所述的一种铜/石墨核壳结构的制备工艺，其特征是：使用RF-PECVD系统制备GS/CC时，将Ar气流量增加到50sccm，同时通入碳源气体-甲烷，流量为20sccm，当反应室的气体压强稳定在800Pa时，打开射频电源，并将射频功率调节到200W，开始沉积制备GS/CC。沉积时间15min。沉积结束后，关闭甲烷，使反应室在Ar气氛下自然降温。