[发明专利]半导体制冷器及半导体制冷装置

权利要求书

1.一种半导体制冷器，包括：第一基板、第二基板，以及设置在所述第一基板和第二基板之间的至少两个半导体电偶；其特征在于，还包括：设置在所述第一基板和第二基板之间的侧墙，所述侧墙围绕在所述至少两个半导体电偶外围；所述侧墙包括固定连接在所述第一基板和第二基板之间的胶粘层，以及位于所述第一基板和第二基板之间的、且固定连接于所述胶粘层内侧的增强层，所述增强层的导热系数低于所述胶粘层。 

2.根据权利要求1所述的半导体制冷器，其特征在于，所述增强层为压设在所述第一基板和第二基板之间的弹性层。 

3.根据权利要求2所述的半导体制冷器，其特征在于，所述增强层的宽度大于所述胶粘层。 

4.根据权利要求3所述的半导体制冷器，其特征在于，所述增强层的宽度是所述胶粘层的宽度的5～10倍。 

5.根据权利要求1-4任一所述的半导体制冷器，其特征在于，所述增强层为乙烯-醋酸乙烯共聚物EVA层，所述胶粘层为密封胶层。 

6.根据权利要求1-4任一所述的半导体制冷器，其特征在于，所述第一基板与第二基板为相对设置的、尺寸相同的矩形板，所述侧墙呈矩形框；所述侧墙内侧为矩形框状的增强层、外侧为矩形框状的胶粘层。 

7.根据权利要求6所述的半导体制冷器，其特征在于，所述增强层为由四个增强段围成的矩形框。 

8.根据权利要求7所述的半导体制冷器，其特征在于，所述胶粘层外侧与所述第一基板和第二基板的外缘平齐。 

9.根据权利要求1-4任一所述的半导体制冷器，其特征在于，所述第一基板或所述第二基板上还连接有一对电极引线，所述电极引线依次穿过所述增强层和胶粘层、延伸至所述侧墙外侧。 

10.一种半导体制冷装置，包括：内部形成有容置空腔的箱体，其特征在于，还包括：固定设置在所述箱体上的、如权利要求1-9任一所述的半导体制冷器。