[发明专利]全抛釉砖及其制备方法有效
申请号: | 201310696046.7 | 申请日: | 2013-12-16 |
公开(公告)号: | CN103739279A | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | 刘家昶 | 申请(专利权)人: | 广州锦盈新型材料有限公司 |
主分类号: | C04B35/16 | 分类号: | C04B35/16;C04B35/622;C04B41/86 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
地址: | 510830 广东省广州市花都*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 全抛釉砖 及其 制备 方法 | ||
1.一种全抛釉砖,其特征在于,包括依次层叠于坯体上的底釉层和面釉层,所述坯体的材料包括如下质量百分含量的原料:粘土18%~32%、长石30%~50%、石英20%~40%、滑石2%~3%及三聚磷酸钠0.3%~0.5%;
所述底釉层的材料包括如下质量百分含量的原料:钠长石15%~25%、高岭土5%~12%、氢氧化铝1%~8%、石英25%~35%、滑石5%~15%、硅酸锆15%~20%、三聚磷酸钠0.3%~1%及硅灰石4%~5%;
所述面釉层的材料包括如下质量百分含量的原料:钠长石15%~25%、高岭土8%~12%、氢氧化铝5%~9%、滑石5%~15%、三聚磷酸钠0.3%~1%、钾长石10%~25%、氧化锌3%~5%、硅灰石8%~20%及白云石5%~18%。
2.一种全抛釉砖的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
称取坯体的材料,加水球磨,得到坯体浆料,其中,所述坯体的材料包括如下质量百分含量的原料:粘土18%~32%、长石30%~50%、石英20%~40%、滑石2%~3%及三聚磷酸钠0.3%~0.5%,所述坯体浆料的细度为250目筛余0.7%~0.9%,所述坯体浆料中水的质量百分含量为32%~34%;
将所述坯体浆料喷雾造粒,得到坯体粉料,将所述坯体粉料在常温下陈腐处理后,压制成坯体,经干燥,使所述坯体中水的质量百分含量在0.5%以下;
称取底釉层的材料,加水球磨5小时~7小时,得到底釉浆料,其中,所述底釉浆料的比重为1.5~1.9,细度为250目筛余0.3%~0.9%,所述底釉层的材料包括如下质量百分含量的原料:钠长石15%~25%、高岭土5%~12%、氢氧化铝1%~8%、石英25%~35%、滑石5%~15%、硅酸锆15%~20%、三聚磷酸钠0.3%~1%及硅灰石4%~5%;
将所述底釉浆料经过陈腐和除铁处理后,将干燥后的所述坯体加热至50℃~60℃,然后将所述底釉浆料淋于加热后的所述坯体上,形成底釉层;
称取面釉层的材料,加水球磨9小时~12小时,得到面釉浆料,且所述面釉浆料的比重为1.5~1.9,细度为250目筛余0.3%~0.9%,所述面釉层的材料包括如下质量百分含量的原料:钠长石15%~25%、高岭土8%~12%、氢氧化铝5%~9%、滑石5%~15%、三聚磷酸钠0.3%~1%、钾长石10%~25%、氧化锌3%~5%、硅灰石8%~20%及白云石5%~18%;
将所述面釉浆料经过陈腐和除铁处理后,将所述面釉浆料淋于所述底釉层上形成面釉层,得到砖坯;及
将所述砖坯于1200℃~1220℃烧成50分钟~80分钟,得到全抛釉砖。
3.根据权利要求2所述的全抛釉砖的制备方法,其特征在于,所述喷雾造粒使用的装置为喷雾塔;所述喷雾造粒得到的所述坯体粉料中水的质量百分含量为6.3%~7.2%。
4.根据权利要求2或3所述的全抛釉砖的制备方法,其特征在于,所述喷雾造粒得到的所述坯体粉料的颗粒级配为:40目~80目的颗粒大于等于80%,100目下的颗粒小于3%。
5.根据权利要求2或3所述的全抛釉砖的制备方法,其特征在于,所述喷雾造粒得到的所述坯体粉料的容重大于等于0.93克/毫升。
6.根据权利要求2所述的全抛釉砖的制备方法,其特征在于,所述坯体的厚度为12.4毫米~12.6毫米;所述底釉层的厚度为0.5毫米~2毫米;所述面釉层的厚度为0.5毫米~2毫米。
7.根据权利要求2所述的全抛釉砖的制备方法,其特征在于,所述砖坯在烧成之前的质量含水率小于等于2%。
8.根据权利要求2所述的全抛釉砖的制备方法,其特征在于,所述烧成时的升温速率为15℃/分钟~25℃/分钟。
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