[发明专利]具有高反射率电极的发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种具有高反射率电极的发光二极管，包括蓝宝石基板（200）；位于蓝宝石基板（200）上表面的N型层（201），所述N型层（201）上设有凸台；位于N型层（201）凸台上表面的发光层（202），位于凸台右侧的N型层（201）上表面的N电极（214）；位于发光层（202）上表面的P型层（203），其特征在于：所述P型层（203）的上表面设有圆柱形的布拉格反射层（204），所述布拉格反射层（204）的上表面积小于P型层（203）的上表面积，所述布拉格反射层（204）的外侧设有将其包裹并具有开孔的电流扩展层（208），在所述电流扩展层（208）上设有P电极（209）。

2.根据权利要求1所述的具有高反射率电极的发光二极管，其特征在于：所述布拉格反射层（204）从下到上依次为第一反射层（205）、第二反射层（206）和第三反射层（207）。

3.根据权利要求2所述的具有高反射率电极的发光二极管，其特征在于：所述第一反射层（205）使用SiO₂材料，其反射率为1.46-1.465，厚度为75nm±10nm；第二反射层（206）使用TiO₂材料，其反射率为2.1-2.2，厚度为54nm±10nm；第三反射层（207）使用SiO₂材料，其反射率为1.46-1.465，厚度为75nm±10nm。

4.根据权利要求1所述的具有高反射率电极的发光二极管，其特征在于：所述布拉格反射层（204）的直径为80-100um。

5.根据权利要求1所述的具有高反射率电极的发光二极管，其特征在于：所述N电极（214）和P电极（209）从下到上依次为金属粘附层（210）、金属反射层（211）、金属隔离层（212）以及金属电极层（213）。

6.根据权利要求5所述的具有高反射率电极的发光二极管，其特征在于：所述金属粘附层（210）选用材料为Cr，厚度为1-3nm；所述金属反射层（211）选用材料为AlSi，厚度为300-800nm；所述金属隔离层（212）选用材料为Ti，厚度为50-100nm；所述金属电极层（213）选用材料为Au，厚度为500-1000nm。

7.根据权利要求1所述的具有高反射率电极的发光二极管，其特征在于：电流扩展层（208）的开孔直径为其开孔直径为70-90um。

8.一种具有高反射率电极的发光二极管的制作方法，其特征在于包括以下步骤：

（1）在蓝宝石基板（200）上利用金属有机化合物化学气相沉淀外延层，其从下到上依次为N 型层（201）、发光层（202）和P 型层（203）；

（2）在该外延层上，利用光刻、腐蚀和干蚀刻技术，从P 型层（203）的 表面向下蚀刻出部分裸露的N 型层（201）；

（3）在所述P 型层（203）表面上利用溅射台溅射布拉格反射层（204）；

（4）利用光刻、腐蚀技术，将布拉格反射层（204）腐蚀成圆柱形，与P电极（209）位置对应，其直径为80-100um；

（5）采用电子束蒸发、光刻、和腐蚀技术，在所述P 型层（203）表面上形成具有开孔的ITO电流扩展层（208）；

（6）采用光刻、电子束蒸发和金属剥离技术，在所述电流扩展层（208）和裸露的N 型层（201）上分别蒸发金属粘附层（210）、金属反射层（211）、金属隔离层（212）以及金属电极层（213）。

9.根据权利要求8所述的具有高反射率电极的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述布拉格反射层（204）从下到上依次为第一反射层（205）、第二反射层（206）和第三反射层（207）；所述第一反射层（205）使用SiO₂材料，其反射率为1.46-1.465，厚度为75nm±10nm；第二反射层（206）使用TiO₂材料，其反射率为2.1-2.2，厚度为54nm±10nm；第三反射层（207）使用SiO₂材料，其反射率为1.46-1.465，厚度为75nm±10nm。

10.根据权利要求8所述的具有高反射率电极的发光二极管的制作方法，其特征在于：所述金属粘附层（210）选用材料为Cr，厚度为1-3nm；所述金属反射层（211）选用材料为AlSi，厚度为300-800nm；所述金属隔离层（212）选用材料为Ti，厚度为50-100nm；所述金属电极层（213）选用材料为Au，厚度为500-1000nm。