[发明专利]一种晶圆键合方法在审
| 申请号： | 201310697478.X | 申请日： | 2013-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN104716056A | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 郭亮良;王伟;刘煊杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆键合 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶圆键合方法，包括：
提供需要实施键合的晶圆，其中，所述晶圆中的下晶圆上形成有第一焊盘，所述晶圆中的上晶圆上与所述第一焊盘对应的位置形成有键合材料，且所述下晶圆的边缘位置形成有第二焊盘；
对所述下晶圆和所述上晶圆实施晶圆键合；
对实施所述晶圆键合之后的晶圆进行磨削减薄处理。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二焊盘与所述第一焊盘处于同一径向，且对应每个所述第一焊盘形成相应的所述第二焊盘。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述键合为局部键合或者在所述晶圆之间形成腔室的键合。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述腔室单独形成于所述下晶圆或者所述上晶圆。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述腔室同时形成于所述下晶圆和所述上晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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