[发明专利]薄膜晶体管及包括该薄膜晶体管的有机发光二极管显示器

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

基板；

半导体层，位于所述基板上；

第一绝缘层，覆盖所述基板和所述半导体层；

第一栅电极，位于所述第一绝缘层上并且与所述半导体层重叠；

第二绝缘层，覆盖所述第一栅电极和所述第一绝缘层；

第二栅电极，位于所述第二绝缘层上并且与所述半导体层和所述第一栅电极重叠；

第三绝缘层，覆盖所述第二栅电极和所述第二绝缘层；

第一接触孔，被限定在所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层中，并且使所述半导体层的一部分暴露；以及

源电极和漏电极，位于所述第三绝缘层上，并且通过所述第一接触孔连接至所述半导体层，

其中所述第二栅电极的总长度大于所述第一栅电极的总长度。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述第一栅电极位于所述第二栅电极与所述基板之间。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，进一步包括第二接触孔，所述第二接触孔被限定在所述第二绝缘层中，并且使所述第一栅电极的一部分暴露，

其中所述第二栅电极通过所述第二接触孔连接至所述第一栅电极。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其中所述第二栅电极包括：

重叠第二栅极单元，与所述第一栅电极重叠；以及

非重叠第二栅极单元，被所述第一栅电极暴露。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其中所述半导体层包括：

与所述源电极接触的源极区，

与所述漏电极接触的漏极区，

位于所述源极区与所述漏极区之间的沟道区，以及

与所述第二栅电极的所述非重叠第二栅极单元重叠的弱电场区。

6.一种薄膜晶体管，包括：

基板；

半导体层，位于所述基板上；

第一绝缘层，覆盖所述基板和所述半导体层；

第一栅电极，位于所述第一绝缘层上并且与所述半导体层重叠；

第二绝缘层，覆盖所述第一栅电极和所述第一绝缘层；

第二栅电极，位于所述第二绝缘层上并且与所述半导体层和所述第一栅电极重叠；

第三绝缘层，覆盖所述第二栅电极和所述第二绝缘层；

第一接触孔，被限定在所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层中，并且使所述半导体层的一部分暴露；以及

源电极和漏电极，位于所述第三绝缘层上，并且通过所述第一接触孔连接至所述半导体层，

其中所述第一栅电极包括彼此间隔开的第一子栅电极和第二子栅电极，并且

所述第二栅电极的总长度小于所述第一栅电极的总长度。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其中所述半导体层包括：

与所述源电极接触的源极区，

与所述漏电极接触的漏极区，

位于所述源极区与所述漏极区之间的沟道区，以及

在平面图中与彼此间隔开的所述第一子栅电极和所述第二子栅电极之间的间隔重叠的中央弱电场区。

8.一种有机发光二极管显示器，包括：

基板；

位于所述基板上的薄膜晶体管和电容器；以及

连接至所述薄膜晶体管的有机发光二极管，

其中所述薄膜晶体管包括：

半导体层，位于所述基板上；

第一绝缘层，覆盖所述基板和所述半导体层；

第一栅电极，位于所述第一绝缘层上并且与所述半导体层重叠；

第二绝缘层，覆盖所述第一栅电极和所述第一绝缘层；

第二栅电极，位于所述第二绝缘层上，并且与所述半导体层和所述第一栅电极重叠；

第三绝缘层，覆盖所述第二栅电极；

第一接触孔，被限定在所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层中，并且使所述半导体层的一部分暴露；以及

源电极和漏电极，位于所述第三绝缘层上，并且通过所述第一接触孔连接至所述半导体层，

其中所述第二栅电极的总长度大于所述第一栅电极的总长度。

9.如权利要求8所述的有机发光二极管显示器，进一步包括第二接触孔，所述第二接触孔被限定在所述第二绝缘层中，并且使所述第一栅电极的一部分暴露，

其中所述第二栅电极通过所述第二接触孔连接至所述第一栅电极。

10.如权利要求9所述的有机发光二极管显示器，其中所述第二栅电极包括：

重叠第二栅极单元，与所述第一栅电极重叠；以及

非重叠第二栅极单元，被所述第一栅电极暴露。