[发明专利]柔性显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201310698027.8 | 申请日: | 2013-12-18 |
公开(公告)号: | CN104183600B | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 尹相天;陈炯锡;姜昌宪;权世烈 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/488;H01L21/84;H01L21/60 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 吕俊刚,刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种柔性显示装置,该柔性显示装置包括:
基板,所述基板由显示区和非显示区限定,所述非显示区是所述显示区的外部区域并且包括连接区和焊盘区,所述非显示区包括弯曲区,所述基板由柔性材料形成;
多条选通线和多条数据线,所述多条选通线和多条数据线形成在所述基板上的所述显示区中,使得所述选通线和所述数据线彼此交叉以在所述显示区中限定多个像素区;
多个焊盘,所述多个焊盘形成在所述焊盘区中,各个焊盘连接到外部电路以向从包括所述选通线和/或所述数据线的多条信号线中选出的信号线提供驱动信号;
多个连接件,所述多个连接件形成所述连接区中,所述连接件连接相应的焊盘和信号线;
多个绝缘膜,所述多个绝缘膜形成在所述基板的表面上方,所述绝缘膜将多个导电层相互绝缘;以及
第一弯曲孔,所述第一弯曲孔形成在所述非显示区的弯曲区中,所述第一弯曲孔穿过形成在所述连接件和所述基板之间的所述多个绝缘膜中的至少一个,其中,所述弯曲区弯曲以使得所述焊盘设置在所述基板的背面上。
2.根据权利要求1所述的柔性显示装置,该柔性显示装置还包括:
抗蚀刻层,所述抗蚀刻层形成在所述基板和所述多个绝缘膜之间的包括所述非显示区的所述弯曲区在内的至少一部分中,
其中,所述抗蚀刻层的至少一部分被所述第一弯曲孔露出,
其中,所述连接件直接接触通过所述弯曲区中的所述第一弯曲孔露出的所述抗蚀刻层的至少一部分。
3.根据权利要求2所述的柔性显示装置,该柔性显示装置还包括:
至少一个第二弯曲孔,所述至少一个第二弯曲孔形成在所述第一弯曲孔中的各个连接件的外围中,所述第二弯曲孔穿过所述多个绝缘膜中的至少一个和所述抗蚀刻层以露出所述基板的一部分。
4.根据权利要求2所述的柔性显示装置,该柔性显示装置还包括:
预弯曲孔,所述预弯曲孔在形成所述第一弯曲孔之前形成在与所述弯曲区对应的区域中,所述预弯曲孔以比所述第一弯曲孔大的宽度穿过所述多个绝缘膜中的至少一个以露出所述抗蚀刻层,
其中,所述第一弯曲孔穿过形成在所述预弯曲孔中的所述多个绝缘膜中的至少一个以露出所述抗蚀刻层。
5.根据权利要求2所述的柔性显示装置,其中,所述绝缘膜包括:
缓冲膜,所述缓冲膜形成在所述基板的整个表面上方,使得所述缓冲膜覆盖所述抗蚀刻层;
栅绝缘膜,所述栅绝缘膜形成在所述缓冲膜和所述选通线之间;
层间绝缘膜,所述层间绝缘膜形成在所述栅绝缘膜和所述数据线之间,使得所述层间绝缘膜覆盖所述选通线;以及
保护膜,所述保护膜形成在所述层间绝缘膜上,使得所述保护膜覆盖所述数据线,
其中,所述连接件形成在所述层间绝缘膜上,并且所述焊盘形成在所述保护膜上。
6.根据权利要求5所述的柔性显示装置,该柔性显示装置还包括:
至少一个第二弯曲孔,所述至少一个第二弯曲孔形成在所述第一弯曲孔中的各个连接件的外围中,所述第二弯曲孔穿过所述保护膜和所述抗蚀刻层以露出所述基板的一部分。
7.根据权利要求5或6所述的柔性显示装置,该柔性显示装置还包括:
预弯曲孔,所述预弯曲孔在形成所述第一弯曲孔之前形成在与所述弯曲区对应的区域中,所述预弯曲孔以大于所述第一弯曲孔的宽度穿过所述缓冲膜以露出所述抗蚀刻层,并且
其中,所述第一弯曲孔穿过所述预弯曲孔中的所述栅绝缘膜和所述层间绝缘膜以露出所述抗蚀刻层。
8.根据权利要求2至6中任一项所述的柔性显示装置,其中,所述第一弯曲孔还形成在所述焊盘区中,并且所述抗蚀刻层还形成在所述焊盘区中。
9.根据权利要求7所述的柔性显示装置,其中,所述第一弯曲孔还形成在所述焊盘区中,并且所述抗蚀刻层还形成在所述焊盘区中。
10.根据权利要求2所述的柔性显示装置,其中,所述抗蚀刻层由具有比所述绝缘膜高的软度并且在用于形成所述第一弯曲孔的蚀刻期间具有比所述绝缘膜低的蚀刻速率的材料形成。
11.根据权利要求2所述的柔性显示装置,其中,所述抗蚀刻层由ITO、Mo、Ti、Cu、Ag、Au和a-Si中的至少一种形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的