[发明专利]检测可控硅调光器输出导通角θ的方法

说明书

技术领域

本发明属于电子技术领域，涉及交流直流LED调光以及功率的控制。更具体地说，本发明涉及一种用于LED照明可控硅调光信号检测方法及相应电路（即一种检测可控硅调光器输出导通角θ的方法）。

背景技术

在交流-直流LED可控硅可调光驱动电源中，通过可控硅调光器的导通和截止可以传递输入功率和相应的调光信息，即输出导通角θ。所以在一般的运用中，通过检测可控硅调光器的输出导通角θ来控制交流-直流LED可控硅可调光驱动电源的输出功率和电流。

现有技术中，最简单的检测输出导通角θ脉冲的方法是先检测输出导通角θ对应的脉冲宽度，再计算导通角θ对应的脉冲宽度对应交流市电周期的比例；这种检测方法的具体实现电路是由交流-直流全波整流器输出电压经电压比较器来完成，也就是说，当所述的交流-直流全波整流器所输出的导通角θ脉冲电压大于电压比较器的阀电平时，电压比较器输出“1”电平；当所述的交流-直流全波整流器所输出的导通角θ脉冲电压小于电压比较器的阀电平时，电压比较器输出“0”电平；为了比较精确的用电压比较器输出“1”和“0”电平来反映交流-直流全波整流器所输出的导通角θ的大小，电压比较器的阀电平应该选择比较低的值；但是，在交流-直流全波整流器电路中存在寄生的电容，由于寄生的电容的储能作用，当交流-直流全波整流器交流侧瞬时电压值减小时，交流-直流全波整流器中的二极管因寄生的电容的储能电压作用而反向偏置，所以，交流-直流全波整流器的直流侧输出将并不对应其交流侧的输入。要使得交流-直流全波整流器的直流侧输出对应于其交流侧的输入，就要去除交流-直流全波整流器中二极管的寄生电容储能电压作用，即将寄生电容储能电压跟随交流侧的输入变化；最直接的办法是在交流-直流全波整流器中二极管的输出端并接一恒定电流源I_DIS，通常，所述的恒定电流源I_DIS大于I_MIN(I_MIN是随这寄生电容大小及响应时间决定的)；通过恒定电流源I_DIS将全波整流器中二极管的寄生电容储能电压释放掉，从而使得寄生电容储能电压跟随交流侧的输入变化。这一方法的代价是电流源上的功耗P_DIS，即P_DIS=V_IN×I_DIS，以及其他一些问题使得所得到的输出波形不能很好地反映导通角θ的大小。

在交流-直流LED可控硅可调光驱动电源中，检测交流-直流全波整流器的输出导通角θ是关键点。而输出导通角θ是关注何时为“1”，何时为“0”；并不关注这全波整流器的输出是如何精确地跟随交流侧的输入变化，只是要求能精确得出何时为“1”，何时为“0”。本发明就是设法以尽可能小的功耗来精确地检测这可控硅调光器的输出导通角θ，何时为“1”，何时为“0”。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种如何以尽可能小的功耗来精确地检测可控硅调光器输出导通角θ的方法。

为了解决上述技术问题，本发明提供一种检测可控硅调光器输出导通角θ的方法，包括可控硅调光器中的全波整流桥以及与可控硅调光器中的全波整流桥并接的非线性电流源；将全波整流桥的寄生电容储能电压在可控硅调光器有输出之前保持为零，并在全波整流桥的交流侧的输入接近零附近时，将全波整流桥的寄生电容储能电压释放掉，从而精确地检测可控硅调光器的输出导通角θ。