[发明专利]硅基扩展结薄膜太阳能电池在审
| 申请号： | 201310698436.8 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN104733558A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 宋太伟 | 申请（专利权）人： | 上海建冶科技工程股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/075 | 分类号： | H01L31/075;H01L31/0747 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 杨元焱 |
| 地址： | 201108 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 扩展 薄膜 太阳能电池 | ||
1.一种硅基扩展结薄膜太阳能电池，包括顶层电极层和底层电极层，其特征在于，在顶层电极层和底层电极层之间设有PP-I-NN结复合层。
2.如权利要求1所述的硅基扩展结薄膜太阳能电池，其特征在于：所述PP-I-NN结复合层由P型重度掺杂薄膜层、P型轻度掺杂薄膜层、I本征层、N型轻度掺杂薄膜层和N型重度掺杂薄膜层顺序层叠构成，P型重度掺杂薄膜层和P型轻度掺杂薄膜层的总厚度为1～600纳米，I本征层的厚度为200～2000纳米，N型轻度掺杂薄膜层和N型重度掺杂薄膜层的总厚度为2-1000纳米。
3.如权利要求1所述的硅基扩展结薄膜太阳能电池，其特征在于：所述P型重度掺杂薄膜层、P型轻度掺杂薄膜层、N型轻度掺杂薄膜层和N型重度掺杂薄膜层同为硅基掺杂的非晶或微晶，或是由硅基掺杂的非晶或微晶半导体内层和非硅基非晶或微晶掺杂的半导体外层构成，所述的半导体包括碳化硅、氮化硅、氧化锌、氧化钛、氧化铜、锗、砷化铟、砷化镓或锑化锌。
4.如权利要求1所述的硅基扩展结薄膜太阳能电池，其特征在于：所述N型重度掺杂薄膜层与底层电极层之间可设有隔离层，厚度为0～10纳米但不为零。
5.如权利要求1所述的硅基扩展结薄膜太阳能电池，其特征在于：所述顶层电极层为透明导电材料层，厚度为10～2000纳米；底层电极层为金属层，厚度为0～100微米但不为零。
6.如权利要求6所述的硅基扩展结薄膜太阳能电池，其特征在于：所述透明导电材料包括TCO。
7.如权利要求6所述的硅基扩展结薄膜太阳能电池，其特征在于：所述金属层可为双金属层结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
