[发明专利]一种半导体P、N类型非接触测试传感器无效
| 申请号： | 201310698619.X | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103675640A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 赵丹;颜友钧;郑钰 | 申请（专利权）人： | 江苏瑞新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人： | 何蔚 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 类型 接触 测试 传感器 | ||
1. 一种半导体P、N类型非接触测试传感器，其特征在于，包括壳体以及设置于所述壳体内部的以下机构：电荷感应电极，所述电荷感应电极上开设有透光孔并设置有一个电极引线，所述电极引线一端延伸出所述壳体外，用于采集下述光生电荷并生成相应的电压信号；
红外激发二极管，所述红外激发二极管设置于所述透光孔中并设置有两个红外激发二极管引线，所述红外激发二极管引线焊接端延伸出所述壳体外，用于通电发光激发半导体产生微弱的光生电荷；
绝缘定位件，所述电荷感应电极设置于所述绝缘定位件上；
所述壳体内还密封有绝缘填料。
2. 根据权利要求1所述的半导体P、N类型非接触测试传感器，其特征在于，所述壳体为中空圆柱体。
3. 根据权利要求2所述的半导体P、N类型非接触测试传感器，其特征在于，所述壳体为不锈钢中空圆柱体。
4. 根据权利要求1所述的半导体P、N类型非接触测试传感器，其特征在于，所述电荷感应电极为圆环状。
5. 根据权利要求4所述的半导体P、N类型非接触测试传感器，其特征在于，所述电荷感应电极的透光孔直径为4～6mm。
6. 根据权利要求1所述的半导体P、N类型非接触测试传感器，其特征在于，所述绝缘定位件为聚四氟乙烯圆柱体。
7. 根据权利要求1所述的半导体P、N类型非接触测试传感器，其特征在于，所述绝缘填料为环氧树脂或硅胶。
8.根据权利要求1所述的半导体P、N类型非接触测试传感器，其特征在于，还包括与所述壳体连接的接地引线。
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