[发明专利]图像传感器及其背光校准方法

权利要求书

1.一种图像传感器的背光校准方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供图像传感器，所述图像传感器包括有效像素区、位于有效像素区外的参考像素区及对应位于所述有效像素区与所述参考像素区之间的载流子抽离区；

通过所述载流子抽离区抽离所述有效像素区扩散于周边的载流子，致使参考像素区不受所述载流子的干扰；

分别采集所述有效像素区的图像输出信号与所述参考像素区的参考输出信号实现背光校准。

2.根据权利要求1所述的图像传感器的背光校准方法，其特征在于：

所述有效像素区包括多个感光像素单元；每个感光像素单元包括位于第一导电类型区域内的光电二极管；

所述载流子抽离区包括第二导电类型区和暴露于所述第二导电类型区外部的电极。

3.根据权利要求2所述的图像传感器的背光校准方法，其特征在于，所述背光校准方法还包括：提供第一电压于所述电极，并通过所述载流子抽离区抽离所述有效像素区扩散于周边的载流子。

4.根据权利要求2所述的图像传感器的背光校准方法，其特征在于，所述第二导电类型区包括：第二导电类型阱和形成于所述第二导电类型阱内的第二导电类型重掺杂部；所述电极连接形成于所述第二导电类型重掺杂部上。

5.根据权利要求4所述的图像传感器的背光校准方法，其特征在于，所述载流子抽离区还包括位于所述第二导电类型阱下部的第二导电类型深阱，所述第二导电类型深阱具有比所述第二导电类型阱更宽的形状范围。

6.根据权利要求1所述的图像传感器的背光校准方法，其特征在于：所述载流子抽离区位于所述有效像素区的每一侧外部。

7.根据权利要求2所述的图像传感器的背光校准方法，其特征在于：当所述第一导电类型为P型且第二导电类型为N型时，所述载流子为电子，所述第一电压为正电压，所述第一电压的值为2.2V至2.8V。

8.根据权利要求1所述的图像传感器的背光校准方法，其特征在于，对所述图像输出信号与所述参考输出信号进行做差实现背光校准。

9.一种图像传感器，其特征在于，包括：

有效像素区，具有多个感光像素单元；

参考像素区，位于所述有效像素区的至少一侧外部；

载流子抽离区，对应位于所述有效像素区与所述参考像素区之间。

10.根据权利要求9所述的图像传感器，其特征在于：

所述有效像素区包括多个感光像素单元；每个感光像素单元包括位于第一导电类型区域内的光电二极管；

所述载流子抽离区包括第二导电类型区和暴露于所述第二导电类型区外部的电极。

11.根据权利要求10所述的图像传感器，其特征在于：所述第二导电类型区包括：第二导电类型阱和形成于所述第二导电类型阱内的第二导电类型重掺杂部；所述电极连接形成于所述第二导电类型重掺杂部外。

12.根据权利要求11所述的图像传感器，其特征在于：所述载流子抽离区还包括位于所述第二导电类型阱下部的第二导电类型深阱，所述第二导电类型深阱具有比所述第二导电类型阱更宽的形状范围。

13.根据权利要求9所述的图像传感器，其特征在于：所述载流子抽离区位于所述有效像素区的每一侧外部。

14.根据权利要求10所述的图像传感器，其特征在于：当所述第一导电类型为P型、第二导电类型为N型时；所述载流子为电子，所述第一电压为正电压；所述第一电压的值为2.2V至2.8V。