[发明专利]一种半导体P、N类型非接触测试装置

权利要求书

1. 一种半导体P、N类型非接触测试装置，其特征在于，包括：红外发射激励脉冲驱动电路，其输出端与下述传感器连接，用于给下述传感器传送激发脉冲；

传感器，其输出端与下述电荷放大器连接，用于激发半导体表面生成光生电荷并收集生成电荷信号传送给电荷放大器；

电荷放大器，其输出端与下述整形放大器连接，用于将接收的电荷信号进行放大生成放大电荷信号传送给整形放大器；

整形放大器，其输出端与下述相位钳位电路连接，用于将接收的放大电荷信号进行整形生成电平信号传送给相位钳位电路；

相位钳位电路，用于将接收的电平信号进行钳制以判断半导体P、N类型。

2. 根据权利要求1所述的半导体P、N类型非接触测试装置，其特征在于，所述传感器包括壳体、以及设置于所述壳体内的红外激发二极管和电荷感应电极，所述红外激发二极管输入端与所述红外发射激励脉冲驱动电路输出端连接，所述电荷感应电极输出端与所述电荷放大器输入端连接。

3. 根据权利要求1或2所述的半导体P、N类型非接触测试装置，其特征在于，还包括用于给所述红外发射激励脉冲驱动电路提供矩形波的矩形波激励信号电路，所述矩形波激励信号电路输出端与所述红外发射激励脉冲驱动电路输入端连接。

4.根据权利要求3所述的半导体P、N类型非接触测试装置，其特征在于，还包括第一LED灯和第二LED灯，所述第一LED灯和第二LED灯分别与所述相位钳位电路输出端连接。