[发明专利]浅沟槽隔离结构的减薄方法

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离结构的减薄方法，其特征在于，所述减薄方法包括：

步骤S1，在半导体基底(100)上制作隧穿氧化层(101)、浅沟槽隔离结构(102)和浮栅(103)，所述半导体基底(100)划分为存储单元区(Ⅰ)和外围电路区(Ⅱ)；

步骤S2，刻蚀减薄所述存储单元区(Ⅰ)和所述外围电路区(Ⅱ)的浅沟槽隔离结构(102)，在被刻蚀的所述浅沟槽隔离结构(102)所在位置形成开口；

步骤S3，在所述存储单元区(Ⅰ)和所述外围电路区(Ⅱ)的所述浮栅(103)、所述浅沟槽隔离结构(102)的表面形成ONO层(104)；

步骤S4，刻蚀去除所述外围电路区(Ⅱ)的所述ONO层(104)和所述浮栅(103)并保留所述隧穿氧化层(101)，所述刻蚀为具有各向异性的干法刻蚀，刻蚀后位于所述浮栅(103)侧壁上的所述ONO层(104)的高度高于位于所述浮栅(103)和所述浅沟槽隔离结构(102)上的所述ONO层(104)的高度；以及

步骤S5，刻蚀减薄所述外围电路区(Ⅱ)的所述浅沟槽隔离结构(102)。

2.根据权利要求1所述的减薄方法，其特征在于，所述步骤S2包括：

第一次自对准湿法刻蚀减薄所述存储单元区(Ⅰ)和所述外围电路区(Ⅱ)的浅沟槽隔离结构(102)；

在所述外围电路区(Ⅱ)的所述浮栅(103)和所述浅沟槽隔离结构(102)上设置第一光刻胶层；

第二次自对准湿法刻蚀减薄所述存储单元区(Ⅰ)的浅沟槽隔离结构(102)；

去除所述第一光刻胶层。

3.根据权利要求2所述的减薄方法，其特征在于，所述步骤S5的刻蚀采用湿法刻蚀进行实施。

4.根据权利要求2或3所述的减薄方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的刻蚀液包括HF和缓冲溶剂，所述缓冲溶剂为双氧水或氟化铵。

5.根据权利要求4所述的减薄方法，其特征在于，所述HF和缓冲溶剂的体积比为1:100～1:200。

6.根据权利要求1所述的减薄方法，其特征在于，所述ONO层(104)与所述开口形成共形台阶覆盖结构。

7.根据权利要求6所述的减薄方法，其特征在于，所述步骤S3包括：

在所述存储单元区(Ⅰ)和所述外围电路区(Ⅱ)的所述浮栅(103)、所述浅沟槽隔离结构(102)的表面热生长或沉积形成第一氧化硅层(141)；

在所述第一氧化硅层上沉积形成氮化硅层(142)；

在所述氮化硅层(142)上热生长或沉积形成第二氧化硅层(143)，其中，所述沉积为化学气相沉积。

8.根据权利要求1所述的减薄方法，其特征在于，所述步骤S4包括：

在所述存储单元区(Ⅰ)的所述ONO层(104)上形成第二光刻胶层；

干法刻蚀所述外围电路区(Ⅱ)的ONO层(104)和浮栅(103)；

去除所述第二光刻胶层。

9.根据权利要求8所述的减薄方法，其特征在于，所述干法刻蚀为等离子体刻蚀或反应离子刻蚀。

10.根据权利要求9所述的减薄方法，其特征在于，所述干法刻蚀采用选自HBr、Cl2、O2、N2、NF3、Ar、He和CF4组成的组中的一种或多种作为刻蚀气体。

11.根据权利要求10所述的减薄方法，其特征在于，所述干法刻蚀中，所述浮栅(103)中多晶硅与所述浅沟槽隔离结构(102)中氧化物的蚀刻选择比为20:1～50:1。

12.根据权利要求7所述的减薄方法，其特征在于，所述化学气相沉积为低压化学气相沉积法或等离子体增强化学气相沉积法。