[发明专利]一种高质量晶体生长方法

权利要求书

1.一种晶体生长方法，其特征在于，包括：

a）提供籽晶原料；

b）将所述籽晶原料在第一条件下熔融；得到熔融料；所述第一条件为抽真空或抽真空后再置于保护气氛；

c）将所述熔融料在第二条件下进行长晶；所述第二条件为抽真空或抽真空后再置于保护气氛；

d）将步骤c）长晶后得到的粗晶进行退火并降温降至室温，得到晶体。

2.根据权利要求1所述的晶体生长方法，其特征在于，在所述步骤b）之后步骤c）之前还包括：加热所述熔融料至所述籽晶原料熔点以上。

3.根据权利要求所述的晶体生长方法，其特征在于，所述提供籽晶原料具体为将未经烧结的原料进行混合原料或将原料进行经烧结后得到多晶原料。

4.根据权利要求3所述的晶体生长方法，其特征在于，所述籽晶原料为有部分定向的晶料、饼料和粉料中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的晶体生长方法，其特征在于，所述保护气氛为惰性气体或还原性气体。

6.根据权利要求1所述的晶体生长方法，其特征在于，所述籽晶原料为氧化物或氟化物。

7.根据权利要求1所述的晶体生长方法，其特征在于，步骤c）具体为：

c1）将所述熔融料在第二条件下维持晶体熔点1~20h；

c2）使用流体冷却法对步骤c1）所述熔融料进行冷却，流体的流量从10线性均匀增长至300L/min，完成长晶过程。

8.根据权利要求7所述的晶体生长方法，其特征在于，该流程是在籽晶没有完全熔化的情况下进行。

9.根据权利要求1所述的晶体生长方法，其特征在于，步骤d）中的退火具体为将所述粗晶在1000~3000℃下保持30~100h。

10.根据权利要求1所述的晶体生长方法，其特征在于，步骤d）中的降温至室温具体为：退火结束后，以5~30℃/h的速度降温至室温。