[发明专利]MOSFET功率器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201310703148.7 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104733523A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 朱超群;钟树理;陈宇 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mosfet 功率 器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种MOSFET功率器件，其特征在于，包括：
衬底和形成在所述衬底上的外延层；
形成在所述外延层中的多个条形的MOSFET元胞，所述多个MOSFET元胞沿第一方向相互平行，每个所述MOSFET元胞包括源区、栅结构和第一阱区，所述第一阱区位于所述源区的下方；
形成在所述外延层中的多个第二阱区，所述多个第二阱区沿第二方向相互平行，所述第一方向与所述第二方向在与所述衬底平行的平面上相互成预设角度，所述第一阱区和所述第二阱区掺杂的类型相同，通过所述多个第二阱区连通所述多个第一阱区；以及
栅连接件，所述栅连接件位于所述第二阱区内或第二阱区上，所述栅连接件用于连接所述第二阱区所经过的栅结构。
2.如权利要求1所述的MOSFET功率器件，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向在与所述衬底平行的平面上相互成垂直。
3.如权利要求1所述的MOSFET功率器件，其特征在于，所述第二阱区的深度大于所述第一阱区的深度。
4.如权利要求1所述的MOSFET功率器件，其特征在于，所述多个第二阱区中相邻两个所述第二阱区的间隔为两个所述栅结构之间栅中心间距的5-10倍。
5.如权利要求1所述的MOSFET功率器件，其特征在于，所述栅结构为沟槽型。
6.如权利要求5所述的MOSFET功率器件，其特征在于，所述栅结构的深度大于等于所述第一阱区的深度，并且小于等于所述第二阱区的深度。
7.如权利要求1所述的MOSFET功率器件，其特征在于，所述栅结构为平面型。
8.一种MOSFET功率器件的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供衬底并在所述衬底上形成外延层；
在所述外延层中形成多个第二阱区，所述多个第二阱区沿第二方向相互平行；
形成多个条形的栅结构，并且在所述第二阱区内或第二阱区上形成栅连接件，多个所述栅结构沿第一方向相互平行，所述第一方向与所述第二方向在与所述衬底平行的平面上相互成预设角度，所述栅连接件用于连接所述第二阱区所经过的栅结构，所述栅连接件与所述栅结构材料一致；
在多个所述条形的栅结构之间形成多个条形的第一阱区，所述第一阱区和所述第二阱区掺杂的类型相同，多个所述条形的第一阱区连通多个所述第二阱区；
在多个所述第一阱区上形成多个源区，以使多个所述源区与多个所述第一阱区和多个栅结构形成多个条状的MOSFET元胞。
9.如权利要求8所述的MOSFET功率器件的形成方法，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向在与所述衬底平行的平面上相互成垂直。
10.如权利要求8所述的MOSFET功率器件，其特征在于，所述第二阱区的深度大于所述第一阱区的深度。
11.如权利要求8所述的MOSFET功率器件的形成方法，其特征在于，所述多个第二阱区中相邻两个第二阱区的间隔为两个栅结构之间栅中心间距的5-10倍。
12.如权利要求8所述的MOSFET功率器件的形成方法，其特征在于，所述栅结构为沟槽型。
13.如权利要求12所述的MOSFET功率器件的形成方法，其特征在于，所述栅结构的深度大于等于所述第一阱区的深度，并且小于等于所述第二阱区的深度。
14.如权利要求8所述的MOSFET功率器件的形成方法，其特征在于，所述栅结构为平面型。
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