[发明专利]一种主动矩阵有机发光显示器的像素驱动装置

说明书

技术领域

本发明涉及平板显示技术领域，更具体的说是涉及一种主动矩阵有机发光显示器的像素驱动装置。

背景技术

OLED（有机发光二极管或有机发光二极管显示器）根据其驱动方式分为主动矩阵有机发光显示器（AMOLED）和被动矩阵有机发光显示器（PMOLED）。在平板显示技术中，AMOLED以其轻薄、主动发光、响应速度快、广视角、色彩丰富及高亮度、低功耗、耐高低温等众多优点而被业界公认为是继LCD（液晶显示器）之后的第三代显示器。

目前，商业化的AMOLED的驱动晶体管采用LTPS TFT（低温多晶硅薄膜晶体管）背板，其应用在显示器上时均匀性较差，其生产过程中还需要昂贵的激光晶化设备，从而造成其应用受到限制。而氧化物TFT（薄膜晶体管）具有较好的大面积均匀性，不需要激光晶化设备进行生产且能利用现有的a-SiTFT的生产线的大部分设备，从而有利于减少投资，该方面讲氧化物TFT具有更好的市场竞争力。

如图1所示，为AMOLED每个发光像素单元中驱动晶体管为氧化物TFT时的驱动电路，包括：开关晶体管T01、驱动晶体管T02、存储电容Cs、提供扫描信号V_scan的扫描电压源、提供数据信号V_data的数据电压源和提供供电电压V_dd的电源。其中，开关晶体管T01的栅极与所述扫描电压源相连，其漏极与所述数据电压源相连，开关晶体管T01的源极与存储电容Cs的一端相连，并与驱动晶体管T02的栅极相连；存储电容Cs的另一端及驱动晶体管T02的源极及OLED的阳极相连；驱动晶体管T02的漏极与提供供电电压V_dd的电源相连；所述OLED的阴极接地。

现有技术中，在氧化物TFT AMOLED像素驱动电路中，所述氧化物TFT必须使用为氧化物TFT特定制备的驱动IC01来驱动，而无法直接使用现有的LTPS AMOLED source IC（低温多晶硅AMOLED驱动集成芯片）进行驱动，因此，导致氧化物TFT在AMOLED领域中的应用成本较高。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种主动矩阵有机发光显示器的像素驱动装置，以解决现有技术中的AMOLED像素驱动装置采用氧化物TFT时，无法使用现有的LTPS AMOLED source IC进行驱动，从而导致的氧化物TFT在AMOLED领域的应用成本较高的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种AMOLED像素驱动装置，所述AMOLED由多个呈矩阵排列的发光像素单元组成，每个发光像素单元内的AMOLED像素驱动电路至少包括：开关晶体管、驱动晶体管、存储电容、有机发光二极管、供电电源、数据电压源以及扫描电压源，其中，所述驱动晶体管为氧化物薄膜晶体管，所述数据电压源为低温多晶硅AMOLED驱动芯片，且所述有机发光二极管的阴极接产生负电压的芯片。

优选地，所述产生负电压的芯片产生的负向电压的绝对值范围为大于0V且小于有机发光二极管的阳极到阴极的跨压。

优选地，所述氧化物薄膜晶体管的有源层材料为In-Ga-Zn-O、In-Ga-O、Ga-Zn-O、In-Hf-Zn-O、In-Sn-Zn-O、In-Sn-O、In-Zn-O、Zn-Sn-O或In-Al-Zn-O中的一种或几种。

优选地，所述产生负电压的芯片烧录有所述有机发光二极管材料的衰减特性信息。

优选地，所述氧化物薄膜晶体管结构为底栅底接触、底栅顶接触、顶栅底接触、顶栅顶接触、多栅型中的一种或几种。

优选地，所述扫描电压源为非晶硅LCD驱动芯片或为在氧化物薄膜晶体管背板上集成的芯片。

优选地，所述AMOLED像素驱动装置为De-Multiplexers电路。

优选地，所述De-Multiplexers电路为一分二、一分三、一分四电路中的一种。

优选地，所述扫描电压源为在氧化物薄膜晶体管背板上集成的芯片，所述芯片上还集成有时间控制结构。