[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，包括玻璃基底，以及在所述玻璃基底表面依次层叠设置的阳极导电薄膜、有机发光功能层和阴极，其特征在于，

所述有机发光功能层至少包括依次层叠设置在所述阳极导电薄膜表面的发光层和电子注入层，所述电子注入层包括依次层叠设置在所述发光层表面的第一电子注入层、第二电子注入层和第三电子注入层；

所述第一电子注入层的材质包括金属硫化物和铁盐，所述金属硫化物为硫化锌、硫化镉、硫化镁和硫化铜中的至少一种，所述铁盐为氯化铁、溴化铁和硫化铁中的至少一种；

所述第二电子注入层的材质包括噻吩化合物和有机硅小分子材料，所述噻吩化合物为3-甲基噻吩、3-己基噻吩、3-辛基噻吩和3-十二烷基噻吩中的至少一种，所述有机硅小分子材料为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯和p-双（三苯基硅）苯中的至少一种；

所述第三电子注入层的材质包括铜化合物，所述铜化合物为氧化铜、碘化铜、溴化铜和硫化铜中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一电子注入层中所述金属硫化物和所述铁盐的质量比为2:1～4:1。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第二电子注入层中所述噻吩化合物和所述有机硅小分子材料的质量比为0.1:1～0.4:1。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一电子注入层的厚度为10nm～50nm，所述第二电子注入层的厚度为20nm～40nm，所述第三电子注入层的厚度为10nm～30nm。

5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极导电薄膜的材质为铟锡氧化物、掺铝的氧化锌或掺铟的氧化锌；所述阳极导电薄膜的厚度为50nm～300nm。

6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）提供清洁的玻璃基底，采用磁控溅射的方法在所述玻璃基底表面制备阳极导电薄膜；

（2）在所述阳极导电薄膜表面制备有机发光功能层，所述有机发光功能层至少包括依次层叠设置在所述阳极导电薄膜表面的发光层和电子注入层，所述电子注入层包括依次层叠设置在所述发光层表面的第一电子注入层、第二电子注入层和第三电子注入层；采用真空蒸镀的方法制备所述发光层；采用热阻蒸镀的方法制备所述第一电子注入层和所述第二电子注入层，采用电子束蒸镀的方法制备所述第三电子注入层，制备所述第一电子注入层的真空度为5×10^－5Pa～2×10^－3Pa，蒸镀速率为1nm/s～10nm/s，制备所述第二电子注入层的真空度为5×10^－5Pa～2×10^－3Pa，蒸镀速率为0.1nm/s～1nm/s，制备所述第三电子注入层的真空度为5×10^－5Pa～2×10^－3Pa，蒸镀速率为1nm/s～10nm/s，功率密度为10W/cm²～l00W/cm²；

所述第一电子注入层的材质包括金属硫化物和铁盐，所述金属硫化物为硫化锌、硫化镉、硫化镁和硫化铜中的至少一种，所述铁盐为氯化铁、溴化铁和硫化铁中的至少一种；

所述第二电子注入层的材质包括噻吩化合物和有机硅小分子材料，所述噻吩化合物为3-甲基噻吩、3-己基噻吩、3-辛基噻吩和3-十二烷基噻吩中的至少一种，所述有机硅小分子材料为二苯基二（o-甲苯基）硅、p-二（三苯基硅）苯、1,3-双（三苯基硅）苯和p-双（三苯基硅）苯中的至少一种；

所述第三电子注入层的材质包括铜化合物，所述铜化合物为氧化铜、碘化铜、溴化铜和硫化铜中的至少一种；

（3）采用真空蒸镀的方法在所述有机发光功能层表面制备阴极，得到有机电致发光器件。

7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述第一电子注入层中所述金属硫化物和所述铁盐的质量比为2:1～4:1。

8.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述第二电子注入层中所述噻吩化合物和所述有机硅小分子材料的质量比为0.1:1～0.4:1。