[发明专利]感测电极结构在审

专利信息
申请号: 201310704098.4 申请日: 2013-12-19
公开(公告)号: CN104731419A 公开(公告)日: 2015-06-24
发明(设计)人: 刘子维 申请(专利权)人: 晨星半导体股份有限公司
主分类号: G06F3/044 分类号: G06F3/044
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 徐伟
地址: 中国台湾新竹县*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电极 结构
【说明书】:

技术领域

本发明关于一种感测电极结构,特别关于一种具有特殊保护环设计的感测电极结构。

背景技术

触控面板是规模庞大的一项产业,各式各样的电子产品都使用触控面板作为人机接口的重要输出入装置。触控面板的性能,取决于感测电极与连接感测电极的逻辑电路。感测电极的设计与质量,会影响到触控面板的性能。

一般来说,触控面板的感测电极形成在一透明基板上。显示装置所发出的光可以透过该透明基板显示给使用者观看。形成在透明基板上的感测电极包含多个电极,这些电极透过多个导线连接到逻辑电路。

特别是现代电子产品的设计越来越轻薄短小,触控面板的厚度决定了触控屏幕的厚度。此外,多点触控也成为人机接口的重要因素。因此,能够支持单层多点的投射式电容的触控面板,是目前少数能够满足以上需求的触控面板形式。

由于显示装置的分辨率不断地提高,使用者对于触控面板的性能要求也随着提升。触控装置的分辨率、准确度、对于快速移动物体的感测速度等等触控性能,都需要在有限的触控区面积当中,挤入更多的电极与导线。

由于布线的局限,导致电极与电极之间的距离不相等。在进行触控坐标计算时,会有非线性的因素导致误差。据此,需要一种新的感测电极结构,能够减少电极与电极之间的距离不相等的情况,进而使得电极与电极之间互电容的量趋近一致,减少坐标计算时的非线性因素。

发明内容

在本发明的一实施例当中,提供形成于触控装置的一基板的一种感测电极结构,其包含:一第一感测电极排;平行于该第一感测电极排的一第二感测电极排,该第二感测电极排包含多个第二感测电极单元;以及环绕该第二感测电极排的一保护环,该保护环包含排列在该多个第二感测电极单元之间的多个保护电极。

本发明的主要精神在于将保护环电路延伸到第二感测电极排的第二感测电极单元之间,使得第二感测电极排的互电容效应大约等于插入导线的第一感测电极排,进而令非线性的程度减少,让触控感测的精准度提高。

附图说明

图1A为根据本发明一实施例的一感测电极结构的示意图。

图1B为根据本发明另一实施例的一感测电极结构的示意图。

图2为根据本发明另一实施例的一感测电极结构的示意图。

图3为根据本发明另一实施例的一感测电极结构的示意图。

图4为根据本发明另一实施例的一感测电极结构的示意图。

图5为根据本发明另一实施例的一感测电极结构的示意图。

图6为根据本发明另一实施例的一感测电极结构的示意图。

具体实施方式

本发明将详细描述一些实施例如下。然而,除了所揭露的实施例外,本发明的范围并不受该些实施例的限定,乃以其后的申请专利范围为准。而为了提供更清楚的描述及使该项技艺的普通人员能理解本发明的发明内容,图示内各部分并没有依照其相对的尺寸进行绘图,某些尺寸或其它相关尺度的比例可能被凸显出来而显得夸张,且不相关的细节部分并没有完全绘出,以求图示的简洁。

请参考图1A所示,其为根据本发明一实施例的一感测电极结构100的示意图。该感测电极结构100可以形成于一触控装置的一基板。该触控装置可以是触控板的一部份,也可以是触控屏幕的一部份。该基板可以是不透明的,也可以是透明的。在某些实施例中,该触控装置可以是内嵌式(In-Cell)的触控屏幕。在其它实施例中,该触控装置可以是格上式(On-Cell)的触控屏幕。

该感测电极结构100包含一第一感测电极排110、平行于该第一感测电极排110的一第二感测电极排120、与环绕该第二感测电极排120的一保护环130。在图1A所示的实施例中,该保护环130还环绕第一感测电极排110的部分。

第一感测电极排110包含排列成一排的多个第一感测电极单元,每一个第一感测电极单元包含一第一电极111、一第二电极112、连接该第一电极111的一第一导线113、与连接该第二电极112的一第二导线114。上述的第一电极111相对于该第二电极112。在某些实施例中,该第一电极111包含类三角形的电极。这里所指的类三角形可以包含三角形、梯形、以及多边形。本领域的普通领域人员可以理解到,本发明并不限定第一电极111与第二电极112的形状,只需要该第一电极111相对于该第二电极112即可。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晨星半导体股份有限公司;,未经晨星半导体股份有限公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310704098.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top