[发明专利]有机发光二极管显示装置有效
申请号: | 201310704646.3 | 申请日: | 2013-12-19 |
公开(公告)号: | CN103915474A | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 金渡烈 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及具有增强可靠性的有机发光二极管显示装置。
背景技术
在屏幕上显示多种信息的图像显示装置是基于核心信息和通信技术的,它们变得更薄、更轻、更便携并且更高性能。因而,通过控制有机发光层(EML)的发光而显示图像的有机发光二极管(OLED)显示装置是平板显示装置,该平板显示装置可以被设计为具有比阴极射线管(CRT)小的重量和体积。
这种OLED显示装置包括OLED,该OLED为使用EML的自发光装置,该EML可以是电极之间的薄发光层。OLED可以包括第一电极、EML和第二电极,第一电极连接到形成在基板的每个子像素区域中的薄膜晶体管(TFT)、第二电极是阴极。
在这些OLED中,当在第一电极和第二电极之间施加电压时,空穴和电子在EML中复合,形成激子,并且激子下降到基态,因而发光。另外,在OLED上形成钝化膜以覆盖OLED并且因而防止潮湿和氧气侵入到OLED中。
图1A是根据相关技术的OLED显示装置的平面图。
如图1所例示,根据相关技术的OLED显示装置包括形成在基板10的显示区域中的多个OLED和形成在基板10的非显示区域中的焊盘部分20。另外,OLED经由导线10a连接到焊盘部分20,并且来自焊盘部分20的驱动信号经由导线10a施加到OLED。
这些OLED容易遭受潮湿和氧气的影响并且因而形成钝化膜以覆盖OLED。为此,钝化膜包括有机膜13以补偿由于侵入显示区域的外界物质引起的台阶差。有机膜13一般地通过涂覆和固化有机绝缘材料来形成。然而,当涂覆有机绝缘材料时,有机绝缘材料沿着导线10a流到显示区域的外部。
图1B是例示根据相关技术的OLED显示装置的缺陷的图像。
如图1B所例示,当有机膜13延伸到OLED显示装置的显示区域的外部时,外界潮湿和氧气经由有机膜13侵入OLED。侵入OLED的潮湿和氧气与OLED的有机EML反应,产生诸如暗斑这样的缺陷,因而OLED显示装置的可靠性劣化。
发明内容
因此,本发明旨在提供一种基本避免了由于现有技术的限制和缺点造成的一个或者更多个问题的有机发光二极管显示装置。
本发明的目的是提供通过在形成为覆盖有机发光二极管的有机膜的边缘处形成凹槽而具有提高的可靠性的有机发光二极管显示装置。
本发明的其它优点、目的及特征一部分将在以下的说明书中进行阐述,并且一部分对于本领域的技术人员来说将在研读以下内容后变得清楚,或者可以从本发明的实践获知。本发明的这些目的和其它优点可以通过在本书面描述及其权利要求书及附图中具体指出的结构来实现和获得。
为了实现这些和其它优点,并且根据本发明的目的,如这里所具体实施和广泛描述的,OLED显示装置包括:基底基板,其具有显示区域和非显示区域;OLED,其形成在所述基底基板的所述显示区域中的由堤绝缘膜限定的相应的子像素区域中;焊盘部分,其形成在所述基底基板的所述非显示区域中并且被构造为向所述OLED施加驱动信号;多个钝化膜,其在所述显示区域中形成以覆盖所述OLED,所述多个钝化膜包括第一无机膜、有机膜和第二无机膜,所述多个钝化膜顺序地堆叠;以及封装基板,其形成在所述基底基板和所述多个钝化膜上方,所述封装基板经由粘合层粘合到所述第二无机膜和所述基底基板,其中,所述有机膜的与从所述焊盘部分向所述OLED施加所述驱动信号所经由的导线相对应的边缘的区域包括形成在所述有机膜的内部区域的至少一个凹槽。
所述至少一个凹槽具有从圆形和椭圆形中选择的形状。
所述至少一个凹槽具有从多边形、方形和三角形中选择的形状。
所述堤绝缘膜的边缘设置在所述有机膜的边缘内。
形成所述至少一个凹槽的所述有机膜的所述边缘的最外部分具有距所述堤绝缘膜的所述边缘约1μm到500μm的距离。
所述第二绝缘膜可以形成为完全覆盖所述有机膜的所述边缘。
所述有机膜可以具有1μm到20μm的厚度。
所述第一无机膜直接形成在所述OLED上方,包括所述至少一个凹槽的所述有机膜直接形成在所述第一无机膜上方,并且所述第二无机膜直接形成在所述有机膜上方。所述至少一个凹槽具有从圆形、椭圆形、多边形、方形和三角形中选择的形状。
应该理解的是,对本发明的以上概述和以下详述都是示例性和解释性的,并旨在对所要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金显示有限公司,未经乐金显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310704646.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的